隨著記憶體市場價格止跌回溫，加上看好未來市炒需求激增，南韓記憶體大廠三星計劃在 2020 年進行擴產，預計在中國西安與南韓平澤廠區投入 17 兆韓圜的資金，預計每月增加總計 11.5 萬片記憶體晶圓產出。
根據南韓媒體《ETnews》報導，三星這次擴產計畫，重點將放在 NAND Flash 快閃記憶體，而非 DRAM。原因在於 NAND Flash 快閃記憶體的市場價格回溫速度要優於 DRAM，再加上競爭對手目前在 NAND Flash 快閃記憶體也較少擴產，因此選擇 NAND Flash 快閃記憶體為主要擴產項目。
報導表示，三星此次的擴產計畫，預計在 NAND Flash 快閃記憶體增加每月 6.5 萬片晶圓產能，全部集中在中國西安廠。DRAM 方面則增加 5 萬片，分別是平澤 1 廠增加 2 萬片，平澤 2 廠增加 3 萬片。整體來說，中國西安廠第 2 階段已於 2019 上半年投產。該廠區除了購買新設備，三星還計劃將南韓京畿道華城 Line 16 產線的設備遷移西安第 2 階段工廠。南韓平澤 2 廠將自 2020 年 2 月開始裝機，目標是預定 2020 下半年開始生產。
目前三星資本支出約 17 兆韓圜，中國西安廠支出約 9.5 兆韓圜，南韓平澤廠區投資為 6.5 兆韓圜。值得注意的是，這次整個投資比重，三星著重在 NAND Flash 快閃記憶體勝於 DRAM。對此，報導引用南韓半導體業者說法，三星對 NAND Flash 快閃記憶體較 DRAM 更積極，源自目前三星在 NAND Flash 快閃記憶體的庫存已到正常水位。
各項研究報告數據都指出，預計 2020 下半年受惠於 5G 手機大量推出，使記憶體使用將大幅提升，也使記憶體供貨吃緊。三星 2020 年開始提升記憶體產能擴充，連帶影響全球半導體設備企業，為了三星積極擴廠計畫而供應設備。
（首圖來源：三星）
