三星 2020 年記憶體每月擴產 11.5 萬片,NAND Flash 擴產大於 DRAM

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 07 日 10:30 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體 follow us in feedly


隨著記憶體市場價格止跌回溫,加上看好未來市炒需求激增,南韓記憶體大廠三星計劃在 2020 年進行擴產,預計在中國西安與南韓平澤廠區投入 17 兆韓圜的資金,預計每月增加總計 11.5 萬片記憶體晶圓產出。

根據南韓媒體《ETnews》報導,三星這次擴產計畫,重點將放在 NAND Flash 快閃記憶體,而非 DRAM。原因在於 NAND Flash 快閃記憶體的市場價格回溫速度要優於 DRAM,再加上競爭對手目前在 NAND Flash 快閃記憶體也較少擴產,因此選擇 NAND Flash 快閃記憶體為主要擴產項目。

報導表示,三星此次的擴產計畫,預計在 NAND Flash 快閃記憶體增加每月 6.5 萬片晶圓產能,全部集中在中國西安廠。DRAM 方面則增加 5 萬片,分別是平澤 1 廠增加 2 萬片,平澤 2 廠增加 3 萬片。整體來說,中國西安廠第 2 階段已於 2019 上半年投產。該廠區除了購買新設備,三星還計劃將南韓京畿道華城 Line 16 產線的設備遷移西安第 2 階段工廠。南韓平澤 2 廠將自 2020 年 2 月開始裝機,目標是預定 2020 下半年開始生產。

目前三星資本支出約 17 兆韓圜,中國西安廠支出約 9.5 兆韓圜,南韓平澤廠區投資為 6.5 兆韓圜。值得注意的是,這次整個投資比重,三星著重在 NAND Flash 快閃記憶體勝於 DRAM。對此,報導引用南韓半導體業者說法,三星對 NAND Flash 快閃記憶體較 DRAM 更積極,源自目前三星在 NAND Flash 快閃記憶體的庫存已到正常水位。

各項研究報告數據都指出,預計 2020 下半年受惠於 5G 手機大量推出,使記憶體使用將大幅提升,也使記憶體供貨吃緊。三星 2020 年開始提升記憶體產能擴充,連帶影響全球半導體設備企業,為了三星積極擴廠計畫而供應設備。

(首圖來源:三星)