搶攻高通 LTE 數據晶片市場,華邦電推 QspiNAND Flash 進入 IoT 市場

作者 | 發布日期 2020 年 06 月 16 日 15:45 | 分類 物聯網 , 網通設備 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


國內記憶體大廠華邦電 16 日宣布推出擁有新功能,專為高通 (Qualcomm) 9205 LTE 數據機而設計的 QspiNAND Flash 快閃記憶體。華邦電指出,該款 1.8V 512Mb (64MB) 的 QspiNAND Flash,為新型行動網路 NB-IoT 模組的設計人員提供正確的儲存容量,為編碼映射 (code shadowing) 應用的最佳解決方案。

華邦電表示,W25N QspiNAND Flash 系列裝置採用節省空間的 8 針腳封裝,相較以往的 SLC NAND Flash 目前˙無法做到這一點。而且,W25N512GW 為 512Mb 記憶體,陣列分為 32,768 個可編程頁面,每頁面為 2,112 位元組。加上 W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式,可利用單一讀取指令高效存取整個記憶體陣列,是編碼映射 (code shadowing) 應用的理想解決方案。

此外,W25N512GW 的 104MHz 的時脈速度,可在使用快速讀取 Dual/Quad I/O 指令時,達到相當於 416MHz (104MHz×4) 速度的 Quad I/O 效能。晶片內建不良區塊管理功能,讓 NAND Flash 更容易管理。

而對於 W25N QspiNAND Flash 系列,市場研究調查單位 WebFeet Research 總裁 Alan Niebel 表示,到了 2020 年,物聯網的規模將成長 到500 億個連網裝置,這使得未來幾年 Quad SPI-NAND 的採用率可能會增加 4 到 5 倍。而華邦的 1.8V QspiNAND Flash 相當適合汽車及 IoT 產業使用。NB-IoT 已經蓄勢待發,在當前全新的連網世界中茁壯成長,2023 年之前出貨量可望達到全球 6 億 8,500 萬個裝置。

華邦電子美國分公司快閃記憶體事業群行銷部門總監 Syed S. Hussain 則是指出,華邦很榮幸能全心投入創新及產品差異化,設計出 QspiNAND Flash KGD 解決方案,並獲得 Qualcomm Technologies 採用在 Qualcomm 9205 LTE 主控晶片中。未來會持續與 Qualcomm Technologies 密切合作開發記憶體元件,打造適合 IoT 應用的次世代 LTE 數據機解決方案。

華邦立足於傳統 QSPI-NOR Flash,並進軍 QSPI-NAND Flash 領域,客戶可根據自身需求,自由選擇編碼儲存元件,以最低成本擴充規模。使用相同的 6 針腳訊號及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量,並採用 104MHz 讀取速度的全新的 Continuous Read 功能,效能毫不減損,而且,為滿足全球對大容量解決方案持續成長的需求,華邦 QspiNAND Flash 在台灣台中的 12 吋晶圓廠進行製造。華邦正在擴展產能,以因應及確保支援汽車與 IoT 產業因全新業務帶來的預期成長。

(首圖來源:維基百科)