繼三星後,SK 海力士宣布 2021 下半年採 EUV 生產 1a 奈米製程 DRAM

作者 | 發布日期 2020 年 10 月 30 日 16:15 | 分類 GPU , 國際貿易 , 晶圓 Telegram share ! follow us in feedly


根據國外媒體報導,荷蘭曝光機生產大廠艾司摩爾(ASML)是目前全世界唯一生產極紫外光曝光設備(EUV)的廠商,用於先進半導體製程,也就是 7 奈米以下製程扮演關鍵性角色,包括台積電及三星都用來生產先進處理器(CPU)及繪圖晶片,另外三星也用在記憶體 DRAM 製造。為了追上三星腳步,南韓另一家記憶體大廠 SK 海力士(SK Hynix)也宣布,預計自 2021 下半年開始量產採 EUV 技術的 DRAM。

報導指出,日前 SK 海力士高層就表示,計劃 2021 下半年開始,在南韓利川廠區新設的 M16 產線採用 EUV 曝光設備生產第四代,就是 1a 奈米製程 DRAM 產品。M16 產線預計 2020 年底建造完成,2021 上半年開始導入製造設備並裝機,目前實驗室正在準備,預計 2021 下半年開始量產。

對記憶體來說,與 CPU 邏輯製程一樣,近年來面臨製程需微縮的問題。如果使用 EUV 曝光技術,可減少多重曝光過程,提供更細微的製程精度與良率,進一步減少產品生產時間並降低成本,還可提高效能。只是 EUV 曝光設備每部單價近 1.5 億歐元,初期投資成本較深紫外光曝光設備(DUV)高許多,因此會讓廠商考慮再三。

報導進一步指出,相較 SK 海力士將在 2021 年量產採用 EUV 技術打造的 DRAM,全球記憶體龍頭三星都開始以 EUV 技術生產 DRAM。之前三星發表的 LPDDR5 16Gb DRAM 就是採用 EUV 技術生產,頻寬為 6400MHz,相較 LPDDR5 12Gb DRAM 速度快 16%。

全球 3 大 DRAM 供應商中,就只剩美商美光(Micron)尚未採用 EUV 技術。台灣美光董事長徐國晉與媒體見面時,就表示美光沒有採用 EUV 的計畫,因以現有微影設備配合其他製程,可達到一樣的效果。隨著技術精進與市場需求,美光會否改變態度,有待後續觀察。

(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)