三星電子（Samsung Electronics Co.）傳出已對次世代晶片事業（包含晶圓代工業務）砸下 1,160 億美元，希望最快 2 年後趕上台積電。
彭博社 17 日報導，三星一名資深執行主管 10 月曾在一場必須受邀參加的會議上透露，2022 年有望量產 3 奈米製程晶片。台積電也預定 2022 年下半年量產 3 奈米晶片。
三星計劃採用閘極全環場效電晶體（Gate-All-Around FET，GAAFET），能更精準地控制通道電流、縮小晶片面積、降低耗電量。台積電 3 奈米晶片則是採較成熟的鰭式場效應電晶體（FinFET）架構。SK Securities 分析師 Kim Young-soo 表示，三星選擇的 GAA 技術，台積電預料 2024 年會使用在 2 奈米製程，惟時間也許會提前至 2023 年下半年。技術上來說，三星有望在台積電投產 2 奈米晶片前，於 2023 年扭轉局面。三星能否擴充市占的關鍵，在於該公司能拿到多少台極紫外光（EUV）微影設備。
一名內部主管透露，大客戶下達的訂單，足以讓三星 5 奈米生產線在未來幾年保持忙碌。近幾個月來，Nvidia Corp.、IBM Corp. 是幾家轉向三星下單的客戶，高通（Qualcomm Inc.）據傳也下單 1 兆韓圜（約 8.58 億美元）。
三星副會長李在鎔先前就曾出訪歐洲，於 10 月 13 日到艾司摩爾（ASML）總公司拜會執行長 Peter Wennink 和技術長 Martin van den Brink 等人，商討多項議題，如艾司摩爾出售 EUV 設備的計畫。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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