三星盼 2 年後趕上台積電,內部人士:3 奈米晶片 2022 年量產

作者 | 發布日期 2020 年 11 月 17 日 14:30 | 分類 Samsung , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


三星電子(Samsung Electronics Co.)傳出已對次世代晶片事業(包含晶圓代工業務)砸下 1,160 億美元,希望最快 2 年後趕上台積電。

彭博社 17 日報導,三星一名資深執行主管 10 月曾在一場必須受邀參加的會議上透露,2022 年有望量產 3 奈米製程晶片。台積電也預定 2022 年下半年量產 3 奈米晶片。

三星計劃採用閘極全環場效電晶體(Gate-All-Around FET,GAAFET),能更精準地控制通道電流、縮小晶片面積、降低耗電量。台積電 3 奈米晶片則是採較成熟的鰭式場效應電晶體(FinFET)架構。SK Securities 分析師 Kim Young-soo 表示,三星選擇的 GAA 技術,台積電預料 2024 年會使用在 2 奈米製程,惟時間也許會提前至 2023 年下半年。技術上來說,三星有望在台積電投產 2 奈米晶片前,於 2023 年扭轉局面。三星能否擴充市占的關鍵,在於該公司能拿到多少台極紫外光(EUV)微影設備。

一名內部主管透露,大客戶下達的訂單,足以讓三星 5 奈米生產線在未來幾年保持忙碌。近幾個月來,Nvidia Corp.、IBM Corp. 是幾家轉向三星下單的客戶,高通(Qualcomm Inc.)據傳也下單 1 兆韓圜(約 8.58 億美元)。

三星副會長李在鎔先前就曾出訪歐洲,於 10 月 13 日到艾司摩爾(ASML)總公司拜會執行長 Peter Wennink 和技術長 Martin van den Brink 等人,商討多項議題,如艾司摩爾出售 EUV 設備的計畫。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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