三星電子預料明年景氣將復甦，據傳要增加 DRAM、NAND Flash、晶圓代工產能，準備藉此衝刺市占，擴大和競爭對手的差距。
韓國時報報導，美系資產組合經理人 23 日表示：「（增產理由是）明年全年 DRAM、NAND 將嚴重短缺，帶動價格和獲利復甦。」他說，三星正與零件供應商討論，準備下單。據了解三星 DRAM 的每月晶圓產能將增加 3 萬片、NAND 增加 6 萬片、晶圓代工增加 2 萬片。
增加產能主要在三星南韓平澤（Pyeongtaek）工廠。三星第 3 季財報會議表示，記憶體晶片庫存回到合理水位，接到更多高利潤的伺服器訂單，預料市況將出現「有意義的逆轉」（meaningful turnaround）。NH Investment 分析師 Do Hyun-woo 說：「三星會積極生產 NAND 記憶體，不過將對 DRAM 維持保守態度。由於晶圓代工晶片將短缺，明年三星至少會對平澤廠和美國德州奧斯汀廠投資 10 兆韓圜。」
資產組合經理人透露：「一般認為三星不會大幅增加記憶體的晶圓產能，以免重蹈 2018 年覆轍，這次的上行循環，（三星）增產做法將更理性。三星調整策略，可能是要趁數位變化、供給收緊時，搶下更大市占。」
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