傳三星 2021 年擬砸 10 兆韓圜,擴產記憶體、晶圓代工

作者 | 發布日期 2020 年 11 月 24 日 11:35 | 分類 Samsung , 晶圓 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


三星電子預料明年景氣將復甦,據傳要增加 DRAM、NAND Flash、晶圓代工產能,準備藉此衝刺市占,擴大和競爭對手的差距。

韓國時報報導,美系資產組合經理人 23 日表示:「(增產理由是)明年全年 DRAM、NAND 將嚴重短缺,帶動價格和獲利復甦。」他說,三星正與零件供應商討論,準備下單。據了解三星 DRAM 的每月晶圓產能將增加 3 萬片、NAND 增加 6 萬片、晶圓代工增加 2 萬片。

增加產能主要在三星南韓平澤(Pyeongtaek)工廠。三星第 3 季財報會議表示,記憶體晶片庫存回到合理水位,接到更多高利潤的伺服器訂單,預料市況將出現「有意義的逆轉」(meaningful turnaround)。NH Investment 分析師 Do Hyun-woo 說:「三星會積極生產 NAND 記憶體,不過將對 DRAM 維持保守態度。由於晶圓代工晶片將短缺,明年三星至少會對平澤廠和美國德州奧斯汀廠投資 10 兆韓圜。」

資產組合經理人透露:「一般認為三星不會大幅增加記憶體的晶圓產能,以免重蹈 2018 年覆轍,這次的上行循環,(三星)增產做法將更理性。三星調整策略,可能是要趁數位變化、供給收緊時,搶下更大市占。」

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星

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