中國砸 10 兆人民幣發展第三代半導體,台灣競爭有壓力也有利基

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 23 日 9:30 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 國際觀察 line share follow us in feedly line share
中國砸 10 兆人民幣發展第三代半導體,台灣競爭有壓力也有利基


近幾年,在美中關係緊張,貿易衝突增溫的情況下,中國受到美國在技術上的限制,於第一、二代半導體的發發展上遭遇瓶頸,這也成為中國半導體產業發展上永遠的痛。不過,隨著電動車市場與產品快速的發展,以氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 為主要元素的第三代半導體的需求跟著大幅提升,甚至成為未來半導體產業發展的主流之一。