美光砸 1,500 億美元於資本支出,傳與台灣、日本洽談擴張計畫

作者 | 發布日期 2021 年 10 月 22 日 8:33 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備 Telegram share ! follow us in feedly


美國半導體大廠美光宣布,未來 10 年投資 1,500 億美元於晶片製造和研發,目前正與台灣、日本和歐洲各地政府商談擴大生產規模事宜。

日經報導,美光全球業務執行副總裁 Manish Bhatia 強調,推動全球擴張計畫是為了跟上不斷成長的需求,不會造成記憶體晶片市場供應過剩。他指出,關於未來幾代(晶片技術),正與日本、台灣、美國和多國政府討論下一步內容,不排除將 ASML 生產的 EUV 曝光設備帶入日本各種設施。

美光尚未針對具體國家設定具體投資計畫。不過美光先前宣布,將在 2024 年前將 EUV 曝光技術引入台灣,另外也有計畫在台中 DRAM 廠安裝最新曝光設備 NXE: 3600D 的消息。

美光已在美國、台灣、日本和新加坡擁有生產設備,還在中國、馬來西亞運行晶片封裝工廠,NAND 快閃記憶體生產基地則位於新加坡。

Bhatia 表示,美光希望強調儲存晶片是半導體生態系統不斷成長且重要的部分,因大多數政策討論都集中處理器、微控制器、圖像傳感器和其他類型的邏輯晶片,而不是儲存晶片。

雖然美光最近降低財測目標,但只限短期,一旦其他零組件短缺緩解,對 DRAM 的需求將維持強勁狀態。Bhatia 認為,目前還不是下降趨勢的開始,美光預計 2022 年營收和盈利能力將創歷史新高。

(首圖來源:科技新報)

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