三星將量產 GAA 技術 3 奈米製程,客戶名單曝光

作者 | 發布日期 2022 年 06 月 29 日 10:00 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 line share follow us in feedly line share
三星將量產 GAA 技術 3 奈米製程,客戶名單曝光


南韓媒體報導市場傳聞三星本週搶先台積電,宣布 3 奈米製程正式量產。有消息人士透露,三星稱有客戶訂購 3 奈米產能,名稱也曝光,除了中國虛擬貨幣挖礦機晶片設計公司上海磐矽半導體 (PanSemi),行動處理器大廠高通 (Qualcomm) 也下訂 3 奈米產能。不過高通會視情況投片。

《TheElec》報導,三星將在本週搶先台積電,宣布量產閘極全環電晶體(Gate-All-Around,GAA)技術 3 奈米。因 GAA 技術比起 FinFET 溝道僅三面被柵極包圍,GAA 是以奈米線溝道設計,使溝道整個四面輪廓都被柵極完全包覆,柵極對溝道控制性能更好,且有更佳靜電性,滿足某些柵極寬度需求,使晶片有運算性能更佳,且耗能性能更優異。

雖然三星良率問題,使高通把 3 奈米晶片交給台積電代工,但一旦台積電 3 奈米良率遇上跟三星一樣問題時,三星將成為高通備案。雖然三星財報會議宣稱,將成為第一個量產 3 奈米的晶圓代工企業,但市場人士多認為,即便量產也只有很少產能,甚至可能只是試產,而非真正量產。

三星宣布使用 GAA 技術 3 奈米製程生產晶片,雖然很有意義,但關鍵在三星是否 2023 年能以此製程量產智慧手機用行動處理器,值得持續觀察。

(首圖來源:Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0)