記憶體大廠美光（Mircon）今日宣布，為特定智慧手機製造商與晶片組合作夥伴提供 1β（1-beta）DRAM 驗證樣品，全球最先進 DRAM 製程節點 1β 量產全面就緒。新世代製程技術率先用於美光 LPDDR5X 行動記憶體，最高速度每秒 8.5Gb，也是繼三星同樣最高速度每秒 8.5Gb LPDDR5X DRAM 之後，第二家推出同等級產品的廠商，也是首家不採 EUV 微影曝光設備生產 1β 節點的記憶體廠，成本優勢可強化市場競爭力。
美光指出，1β 是全球最先進 DRAM 製程節點，顯著提高效能、位元密度、改進功耗，帶來全面優勢。除行動裝置外，1β 低延遲、低功耗、高性能 DRAM，更可支援各種高度回應式服務、即時服務、體驗個人化與脈絡化，從智慧車輛到資料中心均可受惠，象徵美光自 2021 年 1α (1-alpha) 製程量產以來，市場領導地位再下一城。1β 節點降低功耗約 15%，提升位元密度超過 35%，每顆晶粒容量可達 16Gb。
美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示，推出 1β DRAM 代表記憶體技術又一次飛躍式的創新，這要歸功於美光獨家的多重曝光微影技術、領先的製程技術，以及先進的材料能力。1β 節點帶來世界最先進的 DRAM 技術，將每記憶體晶圓的位元數提升到史上新高，也為新一代技術奠定基礎，從邊緣到雲端都可善用豐富資料、智慧化、並且節能。
美光指出，業界第一 1β 節點可將更高的記憶體容量塞入更小空間，從而降低每位元資料的成本。DRAM 的進展，向來主要取決於如何在每平方公釐的半導體面積內，提供更多和更快記憶體，就需要縮小電路，將數十億個記憶體單元收納至約莫指甲大小的晶片。幾十年來，隨著每個製程節點的演進，半導體產業每一兩年縮小晶片尺寸縮小一次；然而，隨著晶片變得越來越小，在晶圓上界定的電路圖便需要挑戰物理定律的極限。
此外，儘管業界已開始改用新工具極紫外光 (EUV) 設備克服這些技術挑戰，美光仍利用其千錘百鍊的先進奈米製造能力與微影技術來跳過尚在新興階段的極紫外光技術。這需要應用美光獨門的先進多重曝光技術和沉浸式微影能力，以最高精確度做出這些微小的電路特徵。節點進一步縮小提升容量，可讓智慧手機和物聯網裝置等體積較小的裝置涵納更多記憶體。
美光強調，為了讓 1β 和 1α 製程發揮競爭優勢，美光過去幾年也積極推動卓越製造、提升工程技術能力、強化開創性研發。加速創新首先讓美光比競爭對手提前一年實現前所未有的 1α 節點量產，達成公司史上首次 DRAM 和 NAND 兩領域同時居市場領導地位。多年來美光投資數十億美元，將晶圓廠轉為先進、高度自動化、人工智慧驅動的永續營運設施，也包括投資日本廣島廠，廣島廠將以 1β 製程量產 DRAM。
隨著機器對機器通訊、人工智慧和機器學習等耗能使用案例興起，節能技術對企業益發重要，尤其希望滿足嚴格永續發展目標和降低運營費用的企業。研究人員發現，訓練 AI 模型的碳排放量是美國汽車（包含汽車製造過程）五倍。到 2030 年時，資通訊科技預計將使用全球 20% 電力。
網路世界需要快速、無處不在、節能記憶體推動數位化、最佳化和自動化，美光 1β DRAM 節點為網路世界的進步打造靈活基礎。使用 1β 製程的高密度、低功耗記憶體可在需要大量數據的智慧裝置、系統和應用程式間更節能傳輸資料，從邊緣到雲端更有智慧。明年美光開始於嵌入式、資料中心、個人電腦、消費電子、工業和汽車領域擴大 1β 產品組合，包括繪圖記憶體、高頻寬記憶體等。
(首圖來源：科技新報攝)
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