三星 3 奈米 GAA 製程良率僅 20%，急找美國合作夥伴改善

外媒報導，南韓三星雖然 3 奈米 GAA 晶片生產領先台積電，但不代表進展順利。消息來源指出，三星 3 奈米 GAA 技術良率非常糟，僅 20%，為了解決這困境，三星計劃透過與美國公司合作提高良率。

三星晶圓製造試圖重新發展，之前 4 奈米良率太低，使重要客戶高通跳槽到台積電，導致訂單流失。現在本該較 5 奈米製程有巨大改良的 3 奈米 GAA 製程，雖然領先台積電量產，但良率還是面臨同樣挫折。

為了克服問題，傳出三星與美國 Silicon Frontline Technology 合作，以提高 3 奈米 GAA 良率。為何 Silicon Frontline Technology 是理想的合作夥伴，因藉水質和靜電放電預防技術降低生產過程缺點，提高晶圓良率。

靜電放電是晶圓生產過程產生問題的主因，這可以解釋三星 3 奈米 GAA 良率過低的理由。到目前為止，三星雖號稱透過整合合作夥伴技術取得積極成果，但實際還需觀察幾個月，屆時客戶不是排隊體驗尖端製造技術，就是又轉單到台積電。

三星 3 奈米 GAA 製程除了首批晶片將供貨加密貨幣設備商，至今還未供貨給智慧手機晶片商。三星還可能重新恢復與高通合作關係，因高通將來晶片同時採用三星與台積電的多方供應模式。但如果三星 3 奈米 GAA 製程低良率繼續，客戶可能不願再下訂單。

(首圖來源：三星)