三星 3 奈米 GAA 製程良率僅 20%,急找美國合作夥伴改善

作者 | 發布日期 2022 年 11 月 22 日 12:15 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 Telegram share ! follow us in feedly


外媒報導,南韓三星雖然 3 奈米 GAA 晶片生產領先台積電,但不代表進展順利。消息來源指出,三星 3 奈米 GAA 技術良率非常糟,僅 20%,為了解決這困境,三星計劃透過與美國公司合作提高良率。

三星晶圓製造試圖重新發展,之前 4 奈米良率太低,使重要客戶高通跳槽到台積電,導致訂單流失。現在本該較 5 奈米製程有巨大改良的 3 奈米 GAA 製程,雖然領先台積電量產,但良率還是面臨同樣挫折。

為了克服問題,傳出三星與美國 Silicon Frontline Technology 合作,以提高 3 奈米 GAA 良率。為何 Silicon Frontline Technology 是理想的合作夥伴,因藉水質和靜電放電預防技術降低生產過程缺點,提高晶圓良率。

靜電放電是晶圓生產過程產生問題的主因,這可以解釋三星 3 奈米 GAA 良率過低的理由。到目前為止,三星雖號稱透過整合合作夥伴技術取得積極成果,但實際還需觀察幾個月,屆時客戶不是排隊體驗尖端製造技術,就是又轉單到台積電。

三星 3 奈米 GAA 製程除了首批晶片將供貨加密貨幣設備商,至今還未供貨給智慧手機晶片商。三星還可能重新恢復與高通合作關係,因高通將來晶片同時採用三星與台積電的多方供應模式。但如果三星 3 奈米 GAA 製程低良率繼續,客戶可能不願再下訂單。

(首圖來源:三星)