南韓開發石墨烯 EUV 光罩護膜，瞄準台積電、三星、英特爾潛在客戶

南韓媒體報導，一家南韓小公司開發出新材料，有望顯著提高荷蘭半導體設備公企業艾司摩爾 (ASML) 極紫外光微影曝光設備 (EUV) 良率。

BusinessKorea 報導，半導體和顯示材料開發商石墨烯實驗室 (Graphene Lab) 日前宣布，開發出使用石墨烯製造、小於 5 奈米的 EUV 光罩護膜 (Pellicle) 技術，並準備好量產。

Graphene Lab 執行長 Kwon Yong-deok 表示，「光罩護膜過去是由矽製成的，但我們使用了石墨烯，這對於使用 ASML 的 EUV 微影曝光設備設備的半導體企業來說，石墨烯光罩護膜將成為晶圓製造良率的推進助力。」

光罩護膜是種薄膜，可保護光罩表面免受空氣微分子或污染物影響，對 5 奈米以下節點先進製程良率至關重要。光罩護膜也是需要定期更換的消耗品，EUV 微影曝光設備光源波長較短，護膜需較薄增加透光率。矽已用於製造光罩護膜，但石墨烯是更好材料，因石墨烯光罩護膜比矽更薄更透明。

報導強調，EUV 光罩護膜必須能夠承受曝光時 800°C 或更高溫度，高溫下硬化特性讓矽製產品非常容易破裂。Graphene Lab 指出，石墨烯 EUV 光罩護膜若受採用，全球護膜市場到 2024 年將達 1 兆韓圜，有極大商機，台積電、三星電子、英特爾等半導體企業都是 Graphene Lab 潛在客戶。

(首圖來源：ASML)