美國晶片法案補助附帶條件出爐，三星與 SK 海力士暫且鬆口氣

南韓媒體表示，南韓兩大記憶體廠商──三星與 SK 海力士在美國針對晶片法案對企業的資金補助中提出的附帶條件，可以讓兩家暫時鬆一口氣之後，感到有些欣慰。不過，兩家公司仍表示，他們都需要更多的空間，並呼籲政府與美國進行進一步談判。

日前，美國商務部公布了其美國針對晶片法案資金補助提出的附帶條件。而在法案的附帶條件中，美國商務部限制接受資金補助的企業將其在中國和其他相關外國國家的設施，先進製程產能提高最多到 5%。不過，兩家公司在中國生產成熟製程的晶圓廠，增加新生產線或擴大工廠產能的幅度最高來到 10%，這讓兩家公司暫時鬆了一口氣。

根據美國商務部先前的規定，限制採用 28 奈米或以上更成熟製程技術所生產的邏輯晶片，另外是低於 128 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體和以及大於 18 奈米製程的 DRAM 產品。而美國商務部提出這些晶片法案補助對象的附帶條件，目的除了吸引全球半導體製造商能夠前往美國投資生產之外，另外也為了抗衡中國的影響力，並在與其競爭中占據上風。

報導表示，美國商務部長 Gina Raimondo 日前指出，美國的晶片法案從根本上說是一項國家安全倡議，這些附帶條件將有助於確保惡意行為者無法獲得可用於對付美國和我們的盟友的尖端技術。儘管三星和 SK 海力士尚未透露他們是否會為其目前在美國建設或計劃建設的項目，向申請美國的資金補助。但相關的附帶條件引起了擔憂，因為兩家南韓公司都分別已經投資了數兆韓圜在中國建設和運營半導體工廠。

事實上，自 2012 年以來，三星已投資約 33 兆韓圜在中國西安市建立和運營半導體工廠，該工廠生產全球 NAND Flash 快閃記憶體總量的 40%。其競爭對手 SK 海力士也投資了約 25 兆韓圜，在中國無錫建立負責生產該公司近一半的 DRAM 產量。一位不願透露姓名的南韓工業官員表示，之前有些人甚至擔心三星和 SK 海力士可能不得不撤回其在中國市場的生產。但依照最新出爐的附帶條件規定，這已經使得兩家公司暫時避免了最壞的情況。

報導進一步引用南韓科學技術院半導體系統工程教授 Kim Joung-ho 說法表示，最新美國商務部公布的附帶條件，可以看做是為南韓半導體製造商稍微打開了管道。不過，最終在美國的監視下，南韓企業要繼續在中國投資和升級先進半導體生產設施並不容易。因此，南韓政府要與美國協商提高擴產的百分比。另外，由於政策每年更新一次，企業很難制定長期計劃，因此政府也應要求美國將容許擴產的期限延長。

同時，針對美國晶片法案仍然要求申請資金補貼的企業要與美國政府共享敏感的商業資訊和超額利潤。這部分的要求，南韓政府也必須要進一步與美國進行談判。

(首圖來源：Unsplash)