攜手瞄準車用市場，力旺 RRAM 通過聯電 22 奈米可靠度驗證

矽智財供應商力旺電子 (eMemory) 與全球半導體晶圓製造領導廠商聯電在 28 日宣布，力旺的可變電阻式記憶體 (RRAM) 矽智財已通過聯電 22 奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的 AIoT 與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案，未來雙方也將持續合作開發車用規格的 RRAM。

力旺電子提供的 8Mb RRAM IP 具有額外的 16Kb 資訊儲存區塊和內部修復與錯誤偵測/修正等關鍵功能，可用於 IoT 設備中的微控制器和智慧電源管理 IC 的編碼儲存，還可以支援人工智慧之記憶體內運算架構。聯電提供 22 奈米的 0.8V/2.5V RRAM 平台，使用較少的光罩層數、較短的生產週期和更容易與 BCD、高壓等特殊製程整合的優勢。

力旺電子技術長暨第二事業群總經理林慶源表示，對 40 奈米、22 奈米和高階製程而言， RRAM 是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺的下一個 RRAM 開發目標是對應汽車應用需求，在 22 奈米 0.8V/2.5V 平台實現更高的儲存密度 (16Mb)、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力。此外，我們繼續推進在 0.8V/1.8V ULP 上的開發。憑藉其用於讀取和寫入模式的低工作電壓，力旺的 RRAM 將成為主流技術平台上最具成本效益的 eFlash 解決方案，並可擴展至更多製程節點。

聯電技術開發部副總經理徐世杰表示，隨著 AIoT 應用不斷地拓展，市場對低功耗非揮發性記憶體的需求逐漸增加。力旺電子的 IP 成功的在聯電 22 奈米 RRAM 平台完成驗證，為客戶在開發下一代產品時提供更強大的記憶體解決方案。聯電致力於提供多元和差異化的特殊製程技術，我們很高興與力旺電子合作，持續強化 AIoT 與車用市場的嵌入式記憶體方案。

力旺電子的 RRAM IP 具有一萬次覆寫能力和長達 10 年的數據保留，並可承受高達 105 度的高溫。為了方便用戶，這款 RRAM IP 設計具備友善的介面、完整的使用者模式和測試模式，並可在 0.8V/2.5V 標稱雙電壓接口下進行編程。RRAM 不需對前端製程做額外調整，並採用低溫後端製程，幾乎不會產生額外的熱預算，因此備受市場期待。與分離閘快閃記憶體 (split-gate Flash) 相比，RRAM 具有相對簡單的結構、使用較少層的光罩、較友善的製程和更高的 CMOS 製程兼容性。在對性能要求相對嚴格的汽車應用中，RRAM 與 MRAM 相比，具有更佳的抗磁能力。

(首圖來源：科技新報攝)