美國晶片法案補助條件三星與 SK 海力士受不了，南韓要求重新檢視

南韓經濟日報報導，南韓政府正式表明，希望重新檢視美國晶片與科學法案補助條件，以放寬投資美國的南韓半導體廠商的中國擴產限制。

南韓政府於台北時間 23 日對美國商務部提出正式要求，重新檢視晶片與科學法案補助條件，因關係南韓半導體廠商於中國發展的關鍵。南韓政府表示，這些條件不應造成投資美國的外國公司不合理的壓力與負擔。

條件規定接受美國補助的企業，10 年內於中國或受關注國家擴產，先進製程僅准許增加 5%，成熟製程增加 10%。南韓政府要求先進製程擴產限制提高到 10%。

先進與成熟製程的區別，美國商務部定義是邏輯晶片製程 28 奈米以下、DRAM 製程 18 奈米以下、NAND Flash 快閃記憶體高於 128 層堆疊者，屬先進製程，反之就是成熟製程。美國目的就是限制中國先進製程發展。

已在美國大筆投資的三星與 SK 海力士，在中國都有龐大產線，三星於西安有座 NAND Flash 廠，蘇州也有晶片封裝廠。三星西安工廠產能占其 NAND Flash 近 40%。SK 海力士無錫有座 DRAM 工廠，大連有 NAND Flash 廠，重慶有晶片封裝廠。SK 海力士無錫廠生產 48% DRAM。

2022 年 10 月美國政府公布中國半導體全面出口管制，同時給予南韓相關企業一年暫緩期，期間內可升級中國產線。而一年寬限期即將結束，現在三星和 SK 海力士停止中國新投資，等著美國下一步行動。南韓政府也要求美國確定附帶條件前，積極參考其他意見，就相關問題雙邊密切溝通。美國商務部審查各方意見後，年底會公布最終規則。

(首圖來源：Flickr/The White House CC BY 2.0)