英特爾新一代先進封裝,藉玻璃基板方案封裝 1 兆個電晶體

作者 | 發布日期 2023 年 09 月 07 日 17:00 | 分類 半導體 , 封裝測試 , 晶片 line share follow us in feedly line share
英特爾新一代先進封裝,藉玻璃基板方案封裝 1 兆個電晶體


近期因為人工智慧 (AI) 晶片當紅,加上先進製程在晶片微縮的技術上面臨瓶頸,這使得先進封裝的發展成為當紅炸子雞,包括台積電、英特爾、三星等晶圓代工產業的領先企業都在積極布局。根據針對媒體所發出的邀請函指出,英特爾舉行即將公布最新一代先進封裝技術發表會,其新公布的新一代先進封裝技術,預計將再對市場投下震撼彈。

根據邀請函的內容,英特爾表示,發表會中將宣布英特爾先進封裝技術的最新發展和突破創新。而此活動將由英特爾院士暨 Substrate TD 模組工程總監 Rahul Manepalli 與英特爾院士暨組裝與測試總監 Pooya Tadayon 主持,他們將說明玻璃基板如何成為一種可行的突破性解決方案,使封裝技術能夠持續擴展,在一個封裝中實現 1 萬億 (兆) 個晶體管,並將摩爾定律延續到 2030 年之後。

事實上,現階段英特爾旗下的主要先進封裝技術分為 2.5D 的 EMIB (嵌入式多晶片互連橋接,為水平整合封裝技術),以及 3D 的 Foveros (採用異質堆疊邏輯處理運算,可以把各個邏輯晶片堆棧一起) 兩大類。首先,2.5D 的 EMIB 主要應用於邏輯運算晶片和高頻寬記憶體的拼接,目前發表的 Intel Xeon Max 系列、Intel Data Cneter GPU Max 系列都已搭載 EMIB 封裝技術。

至於,更先進的 3D Foveros 先進封裝技術部分,則是讓頂層晶片不再受限於基層晶片大小,且能夠搭載更多頂層與基層晶片,並透過銅柱直接將頂層晶片與基板相連,減少矽穿孔 (TSV) 數量以降低其可能造成之干擾。未來將搭載在即將發表的 Meteor Lake、Arrow Lake 和 Lunar Lake 等系列處理器上。

而針對英特爾即將發表的最新一代先進封裝,在邀情函內容中提到,玻璃基板如何成為一種可行的突破性解決方案,使封裝技術能夠持續擴展,在一個封裝中實現 1 萬億個晶體管,並將摩爾定律延續到 2030 年之後,對此市場預計將會是另一個技術亮點,也可能對於相關供應商產生影響,值得屆時拭目以待。

(首圖來源:英特爾)