三星：在美國有主場優勢，4 奈米廠領先台積電投產

三星電子（Samsung Electronics）共同執行長慶桂顯（Kyung Kye-hyun）直指，旗下的德州泰勒（Taylor）廠 2024 年底開始投產 4 奈米製程晶片，有信心與台積電一較高下。

《韓國先驅報》6日報導，慶桂顯5日在首爾大學（Seoul National University）教課時透露，7月他曾訪問泰勒廠，預計該廠明年底前就可投產4奈米晶片、進度超前台積電。他強調，三星在美國有「主場優勢」（home game），台積電則是在「客場」（away game）比賽。

台積電已宣布，亞利桑那州廠「Fab 21」因為設備安裝及各種人力相關議題，4奈米製程須延後至2025年才能投產。

慶桂顯5日並自信滿滿地表示，三星有望在晶圓代工市場獲得成功，市值也將隨之達到1,000兆韓圜（7,520億美元）。他說，三星創造出「環繞式閘極」（gate-all-around；GAA）半導體製造製程，晶圓代工事業早已領先競爭對手，但在人力資源方面遇到挑戰。

慶桂顯提到，三星正在持續開發10奈米DRAM製程技術，並會設法將NAND型快閃記憶體的堆疊層數增加至千層。另外，三星也在努力研發最近愈來愈重要的先進封裝技術。

集邦科技9月5日報告，2023年第二季（4~6月）期間，三星晶圓代工市占率從前季9.9%攀升至11.7%，台積電卻從60.2%降至56.4%，主要受5奈米、4奈米製程營收衰退影響。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：三星）

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