2022 年三星 Samsung Foundry Forum 2022 公布先進製程藍圖，SF1.4（1.4奈米）2027 年量產，加速開發 2.5D / 3D 整合異質結構封裝，為代工服務提供整體解決方案。近日三星代工副總裁 Jeong Gi-Tae 接受媒體採訪時透露，正在開發 SF1.4 製程將奈米片數量從三個加到四個，有望顯著改善性能和功耗。
三星希望藉增加每個電晶體奈米片數量，強化驅動電流、提高性能，更多奈米片允許更高電流通過電晶體，增強開關能力和操作速度。更多奈米片也更能控制電流，有助減少漏電現象，降低功耗。改善電流控制，代表電晶體會產生更少熱量。
三星 2022 年 6 月宣布量產 SF3E（3 奈米 GAA）後，導入全新 GAA（Gate-All-Around）架構，2024 年則帶來 SF3（3 奈米 GAP）第二代 3 奈米製程，使用第二代多橋通道場效應電晶體（MBCFET），在原有 SF3E 基礎上性能再最佳化，之後還會有性能增強型 SF3P（3GAP+），適合製造高性能晶片。到 2025 年，三星會大規模量產 SF2（2 奈米）製程。
台積電也計畫 2025 年量產 N2（2 奈米），英特爾爭取 2024 年量產 Intel 20A，兩款都導入 GAA 架構電晶體。屆時可看到晶圓代工市場龍爭虎鬥。
(首圖來源：三星)
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