外媒 Tom’s Hardware 報導，今年稍早兩名從中國返韓的三星前員工已遭到逮捕，因涉嫌洩露三星 16 奈米 DRAM 技術機密給中國長鑫存儲。
綜合外媒報導，兩名三星前員工幾年前赴中國長鑫存儲工作，將三星 16 奈米 DRAM 技術智慧財產權的相關內容全透露給中國公司，因而賺取數百萬美元。
韓國國家情報局（NIS）今年 5 月開始展開調查，以違反韓國《防止和保護工業技術洩漏法》的罪名要求逮捕。由於獲得可進行訴訟的證據，韓國方面申請逮捕令，並拘留金姓男子和方姓男子。
三星前電子部長金姓男子 2016 年跳槽去中國長鑫存儲，年薪高達數百萬美元。據報導，金姓男子洩露與半導體沉積技術相關的經驗和技術，甚至涉嫌洩露其他 7 個核心技術資料，以此收取數百億韓圜的財物。另一位被拘捕的方姓男子則是前三星分包商。
檢察官表示，三星 16 奈米 DRAM 技術洩密至少損失約 2.3 兆韓圜（約新台幣 560 億元），長鑫存儲與三星的技術距離也拉近不少。
韓國國家情報院和檢察官初步調查是以半導體沉積技術為中心，但準備進一步調查，確認另外 7 種核心製程技術是否真遭洩露。
三星目前控制約 40% DRAM 市場，重大技術洩密事件恐成為該公司維持記憶體業霸主地位的主要隱憂。根據韓國國家情報局報告，過去五年晶片技術洩密事件增加 4 倍。
長鑫存儲也發聲明稱，公司「尊重智慧財產權，並有健全的機制防止員工洩露第三方資訊」，並拒絕就三星記憶體智財權發表評論。
（首圖來源：三星）
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