英特爾宣布量產 3D Foveros 先進封裝技術，挑戰台積電領先地位

英特爾 25 日宣布，業界領先的半導體封裝解決方案已經開始大規模生產，其中還包括英特爾突破性的 3D Foveros 先進封裝技術。

英特爾表示，這一技術是在最新完成升級的美國新墨西哥州 Fab 9 進行生產的。英特爾公司執行副總裁兼全球運營長 Keyvan Esfarjani 表示，先進封裝技術讓英特爾脫穎而出，幫助我們的客戶在晶片產品的性能、尺寸，以及設計應用的靈活性方面獲得競爭優勢。

英特爾強調，隨著整個半導體產業進入在單個封裝中整合多個小晶片（Chiplets）的一直整合時代，英特爾的 3D Foveros 和 2.5D EMIB 等先進封裝技術將可以達成在單個封裝中整合一兆個電晶體，以便在 2030 年之後繼續持續推動摩爾定律的前進。

根據英特爾的講解，英特爾的 3D Foveros 先進封裝技術在處理器的製造過程中，能夠以垂直而非水準方式堆疊計算模組。此外，3D Foveros 讓英特爾及其代工客戶能夠整合不同的計算晶片，優化成本和能效。英特爾進一步指出，為滿足市場需求，規劃到 2025 年時，其 3D Foveros 先進封裝的產能將增加四倍。

事實上，當前包括 AI 運算在內的高效能運算市場需求大幅提升，目前晶圓代工龍頭台積電的 CoWoS 先進封裝產能也正在積極的擴產當中。根據市場消息指出，根據估算，排除 Amkor 等新增產能，台積電 2024 年底 CoWoS 月產能將達 3.2 萬片，2025 年底再增至 4.4 萬片。而隨著英特爾宣布量產 3D Foveros 先進封裝技術，預計接下來的先進封裝市場發展也將更趨激烈。

(首圖來源：英特爾)