新廠啟用！英特爾宣告量產 Foveros 3D 先進封裝，力拚單一封裝 1 兆個電晶體

英特爾宣布在美國新墨西哥州 Rio Rancho 的 Fab 9 廠開始運作，該工廠為英特爾斥資 35 億美元升級，採用 Foveros 3D 先進封裝技術，也是首批致力於先進封裝技術的工廠之一。

英特爾執行副總裁兼全球運營長 Keyvan Esfarjani 表示，先進封裝技術使英特爾脫穎而出，幫助客戶在晶片產品的性能、尺寸，以及設計應用的靈活性獲得競爭優勢。

英特爾指出，位於 Rio Rancho 的 Fab 9 和 Fab 11x 廠是英特爾 3D 先進封裝技術大規模生產的首個運營基地，為需求到最終產品整個供應鏈創造更高效率。

Foveros 3D 封裝是什麼？

英特爾認為，Fab 9 將推動英特爾在先進封裝領域下個創新時代。隨著半導體產業進入在單個封裝中整合多個「小晶片」（Chiplets）的整合時代，英特爾 Foveros 3D 和 2.5D EMIB（嵌入式多晶片互連橋接）等先進封裝技術，將達成在單個封裝中整合超過 1 兆個電晶體，並於 2030 年後持續推動摩爾定律進程。

Foveros 3D 是種 3D 堆疊的封裝技術，能以垂直而非水平的方式堆疊計算模組，並建構處理器。這項技術也讓英特爾及其代工客戶混合搭配不同運算晶片，優化成本和能效。

此外，英特爾將使用 Foveros 3D 為用戶端應用打造最新 Core Ultra「Meteor Lake」處理器，以及用於 AI 和 HPC 應用的 Ponte Vecchio GPU。英特爾也預期，到了 2025 年時，Foveros 3D 先進封裝產能將增加四倍。

英特爾 Foveros 3D 當前版本依賴使用低成本、低功耗 22FFL 製程生產的 600mm^2 中介層，該中介層作用類似於互連器及基礎晶片，為堆疊在上面的小晶片作為電力傳輸。

目前 Foveros 3D 具有 36 微米凸塊（bump）間距，支持每平方毫米達 770 微凸塊和每毫米達 160 GB/s 的頻寬。據了解，這項技術未來將採用 25 微米和 18 微米的微凸塊，大幅提高互連密度。此外，多個 Foveros 3D 中介層可利用英特爾 Co-EMIB 技術（即 EMIB + Foveros 技術）實現互連，構建超大型資料中心級設備。

目前英特爾在新墨西哥州建設先進封裝廠，是在美國增加先進半導體產品戰略中的重要一步，除 Fab 9 外，英特爾還在亞利桑那州和俄亥俄州建設多個先進技術工廠。

（圖片來源：英特爾）