就在日前曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 交貨首套 High-NA EUV 曝光機給予英特爾之後，市場傳出 High-NA EUV 曝光機對半導體廠商在財務幫助不大看法。對此，ASML 表示了不同的看法，認為 High-NA EUV 曝光機在半導體製造上提供了最有效益的解決方案，將可為客戶帶來幫助。
2023 年底，ASML 向英特爾交貨了業界首套 High-NA EUV 曝光機，從荷蘭運送到美國俄勒岡州的英特爾半導體技術研發基地，並在接下來的幾個月內完成安裝。據了解，每套 High-NA EUV 曝光機的成本約在 3 到 4 億美元。
對此，英特爾執行長 Pat Gelsinger 指出，英特爾不會將 High-NA EUV 曝光機導入 Intel 18A 節點製程，而是用在接下來更先進的製程節點上。Pat Gelsinger 解釋了此做法的原因，是因為英特爾在將製程推向世界領先的過程中，風險管控是其中重要一環。所以，延遲 High-NA EUV 曝光機應用，是暫時控管住風險。
而這樣的情況，研究機構 SemiAnalysis 的分析師表示，半導體製造商使用 ASML 新一代 High-NA EUV 曝光機在財務上意義不大。然而，這樣的說法 ASML 則不表示贊同。不久前接受外媒 Bits and Chips 採訪時，ASML 財務長 Roger Dassen 對於 SemiAnalysis 的說法進行了反擊。
Roger Dassen 表示，SemiAnalysis 低估了 High-NA EUV 曝光機的好處，其可以避免在半導體製造上雙重或四重曝光帶來的複雜性，這只需要向英特爾了解一下就能明白了，這也是新技術在邏輯和儲存晶片方面是最具成本效益的解決方案。而從這方面可以理解，當年錯過了EUV 設備的英特爾，為什麼要最早下單購買 High-NA EUV 曝光機。
具有高數值孔徑的新型 High-NA EUV 曝光機，可提供 0.55 數值孔徑，與此前配備 0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 曝光機相比，精度會有所提高，可以達成更高解析度的圖案化作業，以生產更小電晶體產品，同時每小時能生產超過 200 片晶圓。ASML 指出，當前晶圓代工廠也開始瞭解使用 High-NA EUV 曝光機的好處，使得客戶已在 2024 年至 2025 年開始進行研發工作，並預計在 2025 年至 2026 年間透過購入 High-NA EUV 曝光機，進一步進入大規模生產的階段。
(首圖來源：ASML)
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