三星最近論文，製造 16 層以上高頻寬記憶體（HBM）記憶體必須採混合鍵合（Hybrid bonding）技術。
三星上個月於 IEEE 發表韓文論文，名為〈用於 HBM 堆疊的 D2W（晶粒到晶片）銅鍵合技術研究〉，提到 16 層以上 HBM 須採用混合鍵合。三星計劃 2025 年製造 HBM4 樣品，應為 16 層堆疊，並於 2026 年量產。
混合鍵合是下世代封裝，目的是晶片透過矽穿孔（TSV）或微型銅線垂直堆疊時，中間沒有凸點。韓媒 The Elec 指出，由於直接堆疊，混合鍵合也稱為「直接鍵合」。
與三星目前熱壓焊接（TC）相比，Hybrid bonding 可焊接更多晶片堆疊，維持更低堆疊高度並提高熱排放效率。三星指出，降低高度是採用混合鍵合的主因，記憶體高度限制在 775 微米內，須封裝17 個晶片（即一個基底晶片和 16 個核心晶片），因此縮小晶片間隙，是記憶體大廠必須克服的問題。
最開始記體大廠計畫盡可能減少核心晶片厚度，或減少凸點間距，但除混合鍵合外，這兩種方法都達極限。知情人士透露，很難將核心晶片做得比 30 微米更薄。由於凸點有體積，透過凸塊連接晶片會有局限性。
三星 4 月用子公司 Semes 混合鍵合設備製作 HBM 16H 樣品，並表示晶片運作正常。貝思半導體（BESI）和韓華精密機械（Hanwha Precision Machinery）也在開發混合鍵合設備。
（首圖來源：三星）
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