記憶體堆疊路線卡死!三星:16 層以上 HBM 需採 Hybrid bonding

作者 | 發布日期 2024 年 06 月 11 日 14:51 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
記憶體堆疊路線卡死!三星:16 層以上 HBM 需採 Hybrid bonding


三星最近論文,製造 16 層以上高頻寬記憶體(HBM)記憶體必須採混合鍵合(Hybrid bonding)技術。

三星上個月於 IEEE 發表韓文論文,名為〈用於 HBM 堆疊的 D2W(晶粒到晶片)銅鍵合技術研究〉,提到 16 層以上 HBM 須採用混合鍵合。三星計劃 2025 年製造 HBM4 樣品,應為 16 層堆疊,並於 2026 年量產。

混合鍵合是下世代封裝,目的是晶片透過矽穿孔(TSV)或微型銅線垂直堆疊時,中間沒有凸點。韓媒 The Elec 指出,由於直接堆疊,混合鍵合也稱為「直接鍵合」。

與三星目前熱壓焊接(TC)相比,Hybrid bonding 可焊接更多晶片堆疊,維持更低堆疊高度並提高熱排放效率。三星指出,降低高度是採用混合鍵合的主因,記憶體高度限制在 775 微米內,須封裝17 個晶片(即一個基底晶片和 16 個核心晶片),因此縮小晶片間隙,是記憶體大廠必須克服的問題。

最開始記體大廠計畫盡可能減少核心晶片厚度,或減少凸點間距,但除混合鍵合外,這兩種方法都達極限。知情人士透露,很難將核心晶片做得比 30 微米更薄。由於凸點有體積,透過凸塊連接晶片會有局限性。

三星 4 月用子公司 Semes 混合鍵合設備製作 HBM 16H 樣品,並表示晶片運作正常。貝思半導體(BESI)和韓華精密機械(Hanwha Precision Machinery)也在開發混合鍵合設備。

(首圖來源:三星

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