記憶體堆疊路線卡死！三星：16 層以上 HBM 需採 Hybrid bonding
作者 | 發布日期 2024 年 06 月 11 日 14:51 | 分類 Samsung , 半導體 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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記憶體堆疊路線卡死！三星：16 層以上 HBM 需採 Hybrid bonding

三星最近論文，製造 16 層以上高頻寬記憶體（HBM）記憶體必須採混合鍵合（Hybrid bonding）技術。

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