中國長鑫存儲追趕韓國 DRAM 製程，15 奈米今年開發明年量產

韓國媒體報導，中國記憶體廠商中國長鑫存儲（CXMT）加速開發下代 DRAM。沒有按照原計劃為首款商用的 DDR5 產品採 17 奈米製程，而是更先進 16 奈米。下代 15 奈米也在現有基礎上開發，目標是 2025 年完成，2026 下半年商業化。

ZDnet Korea 報導，研究機構 TechInsights 近期評價中國長鑫存儲最新 DRAM 製程，拆解中國記憶體商 Gloway 日前 DDR5 模組 (16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)，發現16 個長鑫存儲製 16Gb DDR5 記憶體。

TechInsights 資料顯示，此 16Gb DDR5 晶片尺寸 66.99mm²，位元密度 0.239Gb/mm²，電路線寬估 16 奈米。長鑫存儲將產品定名為「G4」，與上代 G3（18 奈米）相比，DRAM 單元尺寸縮小 20%，三星、SK 海力士等 2016 年發表的 16 奈米 DRAM 製程名為「1y」。

長鑫儲存受中國政府大力支持，推動先進 DRAM 研發和產能提升，產品為 17~18 奈米 DDR4、LPDDR4X 等較成熟產品。但 2024 年 11 月首次發表 LPDDR5 產品，今年稍早又成功 DDR5 商業化，有消息指長鑫存儲 DDR5 的 G4 製程非常有信心，現在又證明下代製程開發的速度比計劃要快。

TechInsights 表示，長鑫存儲一直在同時開發 17 奈米和 16 奈米的製程技術，在開發出 17 奈米製程技術之後，又緊接著完成 16 奈米製程技術的的開發。因此，首款商用的 DDR5 產品採用 G4 的 17 奈米製程技術，而是採用了更先進的 G5 的 16 奈米製程技術。

另外，長鑫存儲的 G5 原計畫發展 15 奈米製程技術。但受限於美國加重先進半導體製造設備的出口限制，在無法引進 EUV 先進製造設備情況下只能暫緩。不過，隨著技術開發的成熟，預計利用現有設備長鑫存儲也足以開發和量產下一代製程，因為即便是美光的 13 奈米 DRAM 製程技術也沒有採用使用 EUV。

2019 年，三星電子和 SK 海力士開發「1z」的 15 奈米 DRAM 製程。兩家公司都致力「1b」12 奈米 DRAM 製程。雖然韓國和中國記憶體製程仍有差距，但中國技術進步，差距越來越小。

長鑫存儲 G5 製程年底開發完成，2026 年完成樣品，下半年就能看到 G5 產品上市。雖良率可能不會太好，且仍在開發，挑戰仍多。先進 DRAM 除了需要 EUV 等曝光機，還要幾種先進生產設備，包括高深寬比 HAR 和低溫蝕刻等，都因美國禁令難取得。中國積極推動製程最佳化和設備國產化，以突破瓶頸。

(首圖來源：長鑫存儲)