爭取 HBM4 獲輝達驗證？傳三星重設計 1c DRAM 製程

三星電子（Samsung Electronics Co.）據傳重新設計第 6 代 1c 製程 DRAM 來改善良率，這對即將推出的第六代高頻寬記憶體（HBM）「HBM4」產量能否穩定至關重要。

Wccftech 11日引述ZDNet報導，三星自2024年下半年起就持續評估其先進DRAM製程設計，如今決定重新設計其高階1c DRAM製程，藉此確保HBM4能獲業界採納。

報導指出，三星先進DRAM製程並未達成良率目標。1c DRAM自開發初期便面臨提升良率的挑戰。儘管三星去（2024）年下半已首次產出合格晶片，但整體良率仍不理想。

熟悉內情的業界人士表示，三星調整1c DRAM設計後，正全力提升良率，目標是在今年年中（5~6月）取得具體成效。儘管這會增加製造成本，但三星似乎更在意次世代記憶體產品的量產狀況是否穩定。

三星計劃將1c DRAM優先應用於HBM4，藉此在產品競爭力上取得領先。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）

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