2025 年第一季記憶體市場景氣循環向下態勢可望逐步結束，原因在於為避免價格的持續下滑，包括 DRAM 及 NAND Flash 的原廠陸續祭出減產策略，再加上通路去庫存化，以及補貼政策刺激產業景氣逐漸復甦的狀態下，預計接下來記憶體市場將有谷底回穩的情況。
首先在 DRAM 部分，因近期記憶體現貨市場部分顆粒價格小幅回升，跌勢趨緩。另外、再傳三大廠將停止生產 DDR4 的消息，使得有機會填補市場缺口的台系供應商南亞科、華邦電受惠，也促成兩家記憶體廠當天的股價上揚。根據市場研究及調查機構 TrendForce 的報告指出，由於低價貨源供應銳減，部分容量顆粒報價出現小幅回升。雖然，低價區域仍吸引部分買方成交，但整體現貨價格仍未具備漲價動能，整體交易氛圍目前偏向觀望為主，但跌幅已經開始逐步收斂。
此外，根據根據日本經濟新聞報導，在全球 DRAM 三大廠，包括三星、SK 海力士、美光都將停止生產 DDR4 的消息帶領下，使得有機會填補市場缺口的台系供應商南亞科、華邦電受惠，再促成兩家記憶體廠的股價上揚。市場研究及調查機構 Omdia 則是預測，DRAM 價格下跌趨勢持續到 2025 下半年，PC、伺服器及行動 DRAM 的價格，預期持續下跌至第三季，上半年下跌約 10%，下半年下跌約 5%，包括 DDR4、DDR5 產品價格都呈現下跌。三星、SK 海力士和美光可能 2025 年內停產 DDR3 與 DDR4，最快可能夏季後供應短缺，訂單轉向台灣記憶體廠商。
現階段，全球 DRAM 三大廠包括三星、SK 海力士、美光等都規劃進行一般 DRAM 的減產，將產能轉移到當前仍持續火熱的 HBM 產品上，以避免 DRAM 價格的持續滑落。對此，南亞科日前法說會就強調，2025 年 DRAM 供給增加，但新增產能將持續提高 HBM 與 DDR5 占比為主。反觀常規 DRAM 產品 (DDR4 / LPDDR4 / DDR3) 則持續進行庫存去化動作。預期，AI 伺服器及一般伺服器需求都持續正面成長，而手機業者庫存也逐步回到正常水位，到 2025 年上半年有機會改善供需平衡。至於，消費型電子終端產品則因為區域經濟有機會受政策性刺激方案而改善，消費型需求可望自 2025 年第二季開始擺脫疲弱轉好復甦。
而在 NAND Flash 方面，TrendForce 調查顯示，2025 年第一季 NAND Flash 市場持續面臨供過於求的挑戰，導致價格持續下滑，供應商面臨虧損困境。TrendForce 認為，NAND Flash 市場供需結構將有望在下半年顯著改善，包含原廠減產、智慧型手機庫存去化、AI 及 DeepSeek 效應等因素將推升 NAND Flash 需求，緩解供過於求的局面，預期下半年也將迎接價格回升。
TrendForce 強調，自 2023 年起各家 NAND Flash 原廠已深刻體認到供給過剩對產業造成的嚴重衝擊，特別是 NAND Flash 需求年增率自 30% 大幅下修至 10~15%，唯有供應商積極調整生產策略，方能避免價格下行周期持續擴大。因此，2025 年初，各 NAND Flash 原廠均採取更為堅決的減產措施，縮減全年投產規模，期待有效降低供應位元增長率，此舉有助於快速減輕市場供需失衡的壓力，為價格反彈鋪定基礎。
此外，自 2024 年第四季起，中國政府持續推出的以舊換新補貼政策有效的刺激智慧型手機銷量，加速 NAND Flash 庫存去化速度。隨著市場價格跌勢放緩，智慧型手機品牌廠有機會在 2025 年第二季擴大建立低價庫存，帶動需求動能。
(首圖來源：Pixabay)
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