Rapidus 拚 2 奈米量產！過來人 Pat Gelsinger 提醒：需有獨特優勢，否則難敵台積電

日本半導體製造商 Rapidus 目標 2027 年實現 2 奈米晶片量產，計畫透過全自動先進封裝來加快生產週期，與晶圓代工龍頭台積電競爭。不過，前英特爾執行長 Pat Gelsinger 表示，Rapidus 除了提升生產效率之外，必須展現出獨特優勢，才能在競爭激烈的先進半導體市場中脫穎而出。

根據日本時報（The Japan Times）報導，Gelsinger 在東京記者會上回應有關 Rapidus 潛力的提問時表示，「我們對日本推動 Rapidus 上市的努力表示讚賞。但也認為，Rapidus 需要具備一些根本性的差異化技術，如果只是試圖追趕執行力強大的台積電，卻沒有具突破性的能力，這條路會非常艱難」。

Gelsinger 現在是加州創投基金 Playground Global 合夥人，該公司專注於投資科技新創企業。

與三星、英特爾及台積電等其他主要晶圓製造商相比，Rapidus 的優勢之一在全自動先進封裝，可在同一座晶圓廠中整合自動化封裝與晶圓加工，藉此縮短生產時程。不過，在初期階段不會啟用這項功能，因為第一階段廠區僅提供晶圓試產，沒有封裝測試服務。

Rapidus 執行長小池淳義表示，公司無意與台積電正面競爭，因為 Rapidus 並不追求超大規模量產，那是台積電的商業模式。部分客戶希望獲得依其需求量身打造的先進晶片，而非大量生產的通用型晶片，因此 Rapidus 將專注於與這些客戶密切合作，以實現預期成果。

Rapidus 目標是在 7 月前交付首批樣品晶圓，並將提供早期客戶設計工具，以協助他們開發原型產品。

Gelsinger 表示，美日是推動未來科技與半導體產業的強大夥伴關係，Playground 此次來訪的部分原因，是與日本相關企業會面，協助打造具突破性的能力。由於日本企業在半導體材料、封裝與設備領域擁有顯著市占率，合作將為 Playground 投資的新創公司帶來發展機會。

Rapidus 已在北海道千歲市的晶圓廠內安裝 ASML 的 EUV（極紫外光）與 DUV（深紫外光）設備，於去年底完成安裝。該公司也在 IIM 工廠旁精工愛普生株式會社千歲工廠地附近，興建 Rapidus Chiplet Solutions（RCS）研發中心，該中心自 2024 年 10 月起展開準備作業，並預定本月開始安裝設備。

該研發中心將專注於擴大製造後段（post-fab）相關技術的開發，包括改進重新分佈層（RDL）、3D 封裝流程、組裝設計工具，以及可用晶片（KGD）測試流程等。

（首圖來源：英特爾）