中國記憶體雙雄大撒幣進行擴產,長鑫存儲年底產能將直逼美光

作者 | 發布日期 2026 年 07 月 14 日 7:00 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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中國記憶體雙雄大撒幣進行擴產,長鑫存儲年底產能將直逼美光

全球人工智慧(AI)伺服器需求持續爆發,帶動了高頻寬記憶體(HBM)、先進 DDR5 DRAM 與大容量 NAND 快閃記憶體的強勁需求。為穩固在全球供應鏈的地位,並達到技術自主,中國兩大記憶體製造商──長鑫存儲(CXMT)與長江存儲(YMTC),正展開大規模的產能擴張,雙方合計將投入高達 630 億人民幣 (約新台幣 3,000 億元) 的資本支出來採購半導體製造設備。

根據外媒報導,在DRAM領域,長鑫存儲的擴產步伐驚人。該公司計劃在2025年達到每月28萬至29萬片晶圓的產能之後,並在2026年再增加5萬至6萬片的月產能。根據分析指出,若現有計畫如期完成,長鑫存儲在2026年底的月產能將達約35萬片,已直逼國際三大DRAM廠之一的美光(Micron)同期的37.5萬片預估產能。

而為了達成每月80萬片晶圓的長期目標,長鑫存儲編列了350億至430億人民幣的設備採購預算。值得注意的是,長鑫存儲的無塵室建置時間僅需約12個月,遠低於業界平均的21至24個月。儘管受限於美國制裁而無法取得先進的EUV曝光機,長鑫存儲仍透過舊型DUV設備及多重曝光技術成功克服技術瓶頸,目前已開始出貨主要用於因應AI需求的高效能DDR5(8000 MT/s)與LPDDR5X模組。

另一方面,專注於高層數NAND快閃記憶體的長江存儲,目前在武漢的兩座晶圓廠合計月產能約為15萬片。其第三期擴產計畫目前已進入設備安裝與測試階段,預計於2026年下半年投入量產。在200億人民幣的設備採購預算的支持下,該計畫滿載後的總月產能預估將突破17萬片。

這波由中國記憶體雙雄帶動的擴產潮,預期將為當地的半導體設備供應鏈創造龐大商機。目前中國半導體設備的本土採購率約為23.2%,單是長鑫存儲在2026年的採購活動,預估就能為本土設備供應商帶來近100億人民幣的新業務,加速國產設備的導入。

此外,為了緩解中國國內的記憶體短缺問題,中國政府正鼓勵長鑫存儲將其DRAM技術智慧財產權(IP)轉移給福建晉華(JHICC)、昇維旭(Swaysure)及長江存儲子公司新芯(XMC)等其他國內製造商,同時也為日後進軍歐盟,甚至美國等國際市場預作準備。

隨著企業資料中心擴張及硬體加速器需求攀升,不僅中國雙雄,三星電子、SK海力士與美光等國際大廠亦同步增加資本支出以因應市場變化。國際半導體產業協會預測,全球半導體設備市場規模將從2024年的1,166億美元,大幅成長至2027年的1,556億美元。中國晶片廠在AI浪潮下展現的強勢擴張,無疑將為全球半導體競爭版圖帶來新的變數。

(首圖來源:長鑫存儲)

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