ASML：數值孔徑 0.75 超高 NA EUV 微影曝光設備 2030 年登場
作者 | 發布日期 2023 年 06 月 20 日 17:00 | 分類 半導體 , 晶圓 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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ASML：數值孔徑 0.75 超高 NA EUV 微影曝光設備 2030 年登場

日本媒體報導，微影曝光設備龍頭艾司摩爾 (ASML) 執行副總裁 Christophe Fouquet 近日在比利時 imec 年度盛會 ITF World 2023 表示，半導體產業需要 2030 年代開發數值孔徑 0.75 的超高 NA EUV 曝光技術，滿足半導體發展。

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