工研院、台積電合作開發 SOT-MRAM 元件，助運算功耗降百倍

作者林妤柔 | 發布日期 2024 年 01 月 17 日 10:41 | 分類晶圓 , 晶片 , 會員專區

工研院與晶圓製造龍頭台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM，簡稱 SOT-MRAM）陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為 STT-MRAM 百分之一，並在國際電子元件會議（IEDM）共同發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量。