紀念性一刻！ASML 最新 High-NA EUV，成功印首條 10 奈米密集線
作者 | 發布日期 2024 年 04 月 18 日 16:28 | 分類 半導體 , 會員專區 , 材料、設備 line share Linkedin share follow us in feedly line share
Loading...
紀念性一刻！ASML 最新 High-NA EUV，成功印首條 10 奈米密集線

ASML 宣布首款 0.55 數值孔徑（High-NA）EUV 曝光設備已列印出第一個圖案。最新貼文，High-NA EUV 系統成功列印出第一條 10 奈米密集線（dense lines）。

想請我們喝幾杯咖啡？

icon-tag

每杯咖啡 65 元

icon-coffee x 1
icon-coffee x 3
icon-coffee x 5
icon-coffee x

您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力

總金額共新臺幣 0 元
《關於請喝咖啡的 Q & A》
取消 確認

從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews

Google News
關鍵字: , ,