3 奈米吸引力不敵台積!三星再拚 2 奈米 GAAFET 製程 2025 年推出

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 02 日 16:27 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
3 奈米吸引力不敵台積!三星再拚 2 奈米 GAAFET 製程 2025 年推出


三星是首家宣布推出 3 奈米製程的晶圓廠,領先台積電搶進市場,但儘管如此,蘋果仍選擇台積電生產 3 奈米晶片,三星近兩年也未宣布任何重大合約,不過仍大力發展 GAA 技術,預定 2025 年推出採 2 奈米製程的第三代技術。

韓媒 Business Korea 報導稱,三星是唯一實現 GAA 電晶體商業化的晶圓廠,但業界不一定買單,主要是因為 2022、2023 年全球經濟衰退,生產成本高昂,以及僅少數客戶對先進技術感興趣,有趣的是,沒提到三星良率問題,這也是蘋果、Nvidia 等客戶轉而選擇台積電的原因之一。

不過,三星現在繼續往下一代先進技術邁進,目前傳今年將開發第二代 3 奈米 GAA 設計,2025 年 2 奈米製程開發第三代設計。至於競爭對手台積電將於 2025 年採用 2 奈米製程,英特爾則是 Intel 20A,兩間都將開始採用 GAA 電晶體技術。

三星 GAA 設計被稱為 MCBFET,即多通道橋式 FET,類似於奈米片設計。三星稱,與傳統 3 奈米晶片和自家 3 奈米 GAA 設計相比,第三代產品功率損耗可降達 50%,性能也將得到改善。而報導也指出,目前三星所需要的只是客戶。

(首圖來源:三星

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