結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術,台積電準備 HBM4 基礎晶片生產

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 17 日 9:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術,台積電準備 HBM4 基礎晶片生產

針對當前 AI 市場的需求,預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的變化,其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準,將從原本就已經很寬的 1024 位元,進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元,這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣,晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法,來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。

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