聯電與英特爾重點合作 12 奈米 FinFET 製程，2026 年完成

晶圓代工大廠聯電 30 日召開年度股東會，共同總經理簡山傑表示，與英特爾合作開發 12 奈米製程平台將是聯電未來技術發展的關鍵點，2026 年開發完成，2027 年量產。

1 月聯電與聯電宣布雙方將合作開發 12 奈米 FinFET 製程平台，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。這項長期合作結合英特爾位於美國的大規模製造產能，和聯電豐富的成熟製程晶圓代工經驗，擴充製程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好採購決策。

聯電共同總經理王石表示，聯電與英特爾在美國合作 12 奈米 FinFET 製程，是聯電追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，此舉並延續聯電對客戶的一貫承諾。這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，同時受惠於擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾展開策略合作，利用雙方的互補優勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。

股東會時簡山傑也指出，聯電開積極開發 12 奈米 FinFET 製程平台相對前代 14 奈米 FinFET 性能大幅提升，晶片尺寸也更小，功耗降低，充分發揮 FinFET 性能、功耗、閘密度的優勢，廣泛用於各種半導體產品。聯電 12 奈米 FinFET 製程平台 2026 年開發完成，2027 年量產。

(首圖來源：聯電)