台積電 N2 製程 SRAM 單位密度優於 Intel 18A，實際量產結果有待比較

英特爾即將推出 Intel 18A 製程要挑戰同樣 2025 年台積電 N2 製程，雖然英特爾宣稱 Intel 18A 超越 N2，使英特爾重回製程領先。但鑑於現代設計 SRAM 電晶體密集度，考量單元尺寸大小，先進製程主要比較基礎，根據 ISSCC 2025 先期計劃，Intel 18A 節點製程（1.8 奈米級）SRAM 密度仍遠低於台積電 N2 節點製程，更接近台積電 N3。但與 N2 製程相較，Intel 18A 還是有其他優勢。

Tom′s hardware 報導，英特爾 Intel 18A 節點製程有 0.021µm² 高密度 SRAM 位元單元尺寸，約 31.8Mb/mm² 的 SRAM 電晶體密度。雖然較 Intel 4 的 0.024µm² 單元尺寸高，但與 N3E 和 N5 單元尺寸大致相同。台積電 N2 將 HSRAM 位元單元尺寸縮小至 0.0175µm²，SRAM 電晶體密度達 38Mb/mm²。

雖然 Intel 18A 和 N2 都是 GAA 電晶體架構，但與英特爾不同的是，與依賴 FinFET 電晶體架構上代相比，台積電成功大幅縮小高密度 SRAM 單元尺寸。除了 SRAM 單元大小，SRAM 的關鍵特性是功耗。但還不知 Intel 18A 和 N2 差距。

英特爾 Intel 18A 比前代有兩大優勢，首先是 GAA 電晶體架構和背面供電網路 (BSPDN)。BSPDN 不僅有望改善電晶體的功率傳輸，進一步提高某些設計的性能效率，而且還使設計人員能夠縮小電晶體的尺寸，進而提高邏輯電晶體密度。

儘管晶片設計使用大量 SRAM，且密度對每世代發展至關重要，但邏輯密度比 HDC SRAM 密度更重要。還無法比較 Intel 18A 和 N2，邏輯密度也很難估計，因每種製程都有高密度、高效能和低功耗結構設計，通常單一設計混合和匹配，最後落實量產產品。處理器邏輯密度，英特爾和台積電也未透露。

現代製程最難擴展問題之一是 SRAM 密度，因設計複雜、穩定性和可靠性要求，以及較小節點可變性增加。與其他生產節點相比，現代技術可能有更大 SRAM 單元尺寸，但這方面來說不奇怪。

(首圖來源：shutterstock)