傳三星半導體高層親訪 NVIDIA，展示改良版 HBM 樣品

消息人士透露，三星副董事長、半導體暨裝置解決方案（DS）部門負責人全永鉉（Young Hyun Jun）上週親自拜訪 NVIDIA 總部，展示最新的 1b DRAM 樣品。

NVIDIA 去年曾要求三星改良 1b DRAM 設計，新樣品即是改良成果。不過 DS 部門負責人親自向客戶展示樣品，可說相當罕見。

根據韓媒 TheElec 報導，三星三星第五代 10 奈米級（1b）製程 DRAM  去年面臨良率與過熱問題，因此三星打算改變方向，使用 1a DRAM（即 1b DRAM 前身）製造 8 層和 12 層 HBM3E，並完全跳過 1b DRAM 製程，使用 1c DRAM 製造 HBM4。

然而，NVIDIA 要求三星使用 1b DRAM，但後者改變了方針，因此全永鉉這趟旅行很可能是為了確保三星能贏得 NVIDIA 的 HBM3E 訂單。

目前競爭對手 SK 海力士已經向 NVIDIA 供應使用 1b DRAM 製造的 12 層 HBM3E，美光也預期開始製造供 AI 加速器製造商使用的 HBM。上個月，三星表示其改良版 HBM3E 的準備工作進展順利，將於第二季開始供貨。

NVIDIA 執行長黃仁勳曾在 CES 展上表示，三星需要重新設計其 HBM 才能通過認證。

• Samsung chip boss personally visited Nvidia with improved DRAM sample for HBM: Sources

（首圖來源：shutterstock）

延伸閱讀：

• 哈佛大學成功開發 CMOS 晶片，成功繪製 2,000 個大鼠神經元圖譜
• 預防美國封殺！傳 SK 海力士緊急審查中國製 EDA 軟體