針對美國商務部在 2025 年 1 月 15 日對出口到中國的記憶體製造設備限制進一步升級，限制 25 奈米級以上設備相關採購將受管制一事，國內富邦投顧最新研究報告指出，預料將放緩中國廠商在 DRAM 產業的擴張速度。儘管中國長鑫存儲 (CXMT) 2025 年設備採購已完成，但在後續參數校正、設備維護與維修將面臨挑戰，預料對傳統 DRAM 產品之產能擴充帶來抑制效果，有利 DRAM 景氣提前落底回升，對台股南亞科、華邦電等評價將帶來正面提升效果。
報告表示，根據集邦科技在 2025 年 2 月 14 日發布的報告指出，美系半導體設備商針對美國商務部在 1 月 15 日最新的升級禁令做出回應，已於 2 月中撤出在長鑫存儲北京及合肥廠之工程技術人員，預料將影響長鑫存儲後續製程升級與產能擴充之進程。
而根據美國商務部新的禁令，對記憶體的線寬、密度與矽穿孔的尺寸限制變得更嚴格。在新規定下幾乎長鑫存儲的所有製程都納入設備出口的禁令之內。例如，原規定的禁令限制約在 18 奈米，現約已提升至 25 奈米。而且，DRAM cells 最小尺寸由 0.00194um² 提升至 00.0026um²。最大位元密度 (maximum bit density) 也由 0.288Gb/mm² 下調至 0.20Gb/mm²，而每片晶片的矽穿孔數量則是設定為 3,000 個。
而在最新禁令管制下，影響範圍包括應材、科林研發等美系設備廠駐長新存儲的設備工程服務人力自 2025 年 2 月中撤離北京、合肥廠，但其他國家的設備人力則尚未撤離。另外，在禁令之製程節點限制將由 18 奈米 提高到 25 奈米情況下，長鑫存儲在 2024 年到 2025 年間執行的 G4 升級到 G4B 製程的進度將受阻礙，即使已量產多時的 G2、G3 都在禁令範圍，僅已過時之 G1 不在管制範圍。
還有，新禁令將影響其 LPDDR4X 的良率、拖慢供給 LPDDR5X 成長，因此集邦預期最終 2025 年下半年 LPDDR4X 價格有機會看到持平。而在 DDR5 方面，原計畫 2025 年第二季開始以 G4 製程生產 DDR5，2025 年下半年生產伺服器級 DDR5。而在新禁令的影響下，其進程可能受阻。最後，長鑫存儲原計畫以 G3(1x) 製程開發 HBM2E、HBM3，並在 2025 年底進入量產的準備。不過，美國對 DRAM 製程禁令升級，預料將拖慢 CXMTHBM 之開發進程。
富邦投顧預料，國內 DRAM 業者南亞科、華邦電可望受惠此美國商務的最新措施。由於長鑫存儲在 2024 年積極擴張 LPDDR4X、DDR3 市占率，在韓系廠商已在逐步減產相關產品線情況下，在美國設備商不再替長鑫存儲提供設備校正與維修服務，將有利減少成熟 DRAM 的供給成長速度，有助緩解國內 DRAM 廠之價格壓力。
(首圖來源：長鑫存儲)
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