韓國媒體報導，中國記憶體公司長鑫存儲（CXMT）快速追趕三星電子和 SK 海力士等領先企業。然而，美國持續收緊制裁中國半導體產業，報告指長鑫存儲產能將比預估下降更多。
韓國朝鮮日報報導，儘管長鑫存儲積極降低成本，DDR4 等傳統記憶體市場擴大市占率，並加速 DDR5 等先進記憶體量產，對國際記憶體公司構成威脅。但先進 DRAM 設備出口限制，不僅使擴大產能更困難，連開發高頻寬記憶體（HBM）等下代 DRAM 也面臨挑戰。
市場估計，長鑫存儲年度 DRAM 產能比預估低於 10%。原計劃大規模投資設備，年底確保每月 30 萬片晶圓產能，但美國制裁生效，產能只約每月 25 萬片晶圓。長鑫存儲現在產能據稱約 20 萬片晶圓。長鑫存儲 DRAM 市場影響力雖然增加，但美國出口限制後，進口國外設備將更困難，產能會比預估下降。
市場研究公司 Counterpoint Research 預估，長鑫存儲在全球 DRAM 市場的出貨量占比，將從 2025 年的 7%，成長到 2027 年的 10%。Counterpoint Research 指出，長鑫存儲正迅速縮小與通用 DRAM 國際公司的市場差距，在 HBM 的競爭也日益激烈。長鑫存儲也正加緊努力穩定 DDR5 等 DRAM 的良率，並開發用於 AI 加速器的 HBM。
然而，HBM 為 AI 晶片關鍵組件，美國列為出口管制項目。中國的 AI 半導體設計公司，如華為在加緊開發可運行 AI 模型的 AI 晶片時，正經歷供應困難。一位韓國半導體市場人士指出，隨著華為等中國 AI 半導體公司對 HBM 開發的需求增加，長鑫存儲也正在進行 HBM3 的開發中。
但長鑫存儲列入美國出口管制企業名單，分析認為進口應用材料和科林研發等外國先進設備將受到限制。據英國金融時報報導，美國商務部工業和安全局（BIS）正在考慮將中國長鑫存儲等公司列入實體清單，使許多長鑫存儲設備商的美國設備公司工程師撤離長鑫存儲。
儘管中國企業正加速半導體設備的自給自足，以應對美國的出口管制。但在先進記憶體半導體製造方面，它們仍然嚴重依賴外國設備。因此，隨著美國制裁的加劇，不僅擴大生產能力將變得困難，HBM 的開發也將不可避免面臨挑戰。
(首圖來源：長鑫存儲)
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