三星宣布 NAND Flash 產線導入 FinFET 製程

三星電子近日宣布一項重大技術突破與未來願景，就是計劃將鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術應用於 NAND Flash 快閃記憶體生產上。此動作被解讀為三星為因應人工智慧（AI）晶片組對更大容量 NAND Flash 快閃記憶體的需求所做的準備。不過，這項技術屬於未來技術，實際應用仍需一段時間。

SEDEX 2025，三星DS部門技術長 Song Jae-hyuk 進行主題演講時表示，致力技術創新，目標是在電晶體必須堆疊的單位面積內，實現客戶所期望的性能和功率。當中，FinFET技術正是這項創新戰略的核心之一。FinFET是一種3D結構的製程技術，由於其結構類似魚鰭（Fin），因此得名FinFET。其三星導入該技術的主要目的，就是為了克服傳統平面（2D）結構的限制。

FinFET主要用於晶圓代工（Foundry），預計搭載3D DRAM。這次三星宣布將FinFET應用於NAND Flash快閃記憶體的計畫，是產業界的首次。而半導體界普遍認為，一旦FinFET應用於NAND Flash快閃記憶體，與現有的記憶體相較，密集度（Integration density）將大幅提升。而且，在密集度越高的情況下，就能夠在越小的空間內能容納越多的元件，進一步顯著提高性能。

Samsung Electronics confirms for the first time that it plans to apply 3D “FinFET” process technology to NAND flash.

Samsung Electronics is set to apply FinFET (Fin Field-Effect Transistor) technology to NAND flash memory. This move is interpreted as part of an effort to produce… pic.twitter.com/UA6tKoodkO

— Jukan (@Jukanlosreve) October 22, 2025