應材推一系列全新系統，搶攻 DRAM、先進封裝商機

應用材料（下稱應材）近日推出一系列全新晶片製造系統，支援打造新一代人工智慧（AI）的先進 3D 晶片架構。

應材指出，隨著 AI 模型規模持續擴張，運算與資料傳輸需求快速攀升，記憶體頻寬、容量與能效提升速度逐漸跟不上運算需求，相關技術也使製程複雜度大幅提高，從 DRAM 電晶體、矽穿孔、微凸塊、混合鍵合到缺陷檢測，都需要更高精度的材料工程與製程控制能力。

對此，應材憑藉涵蓋先進封裝、製程控制及 DRAM 的材料工程技術組合，持續深化各領域的技術領先優勢，協助客戶以更快速度、更高良率，將新一代 AI 晶片導入量產。

應材指出，先進封裝已成為提升系統層級效能的重要驅動力，而次世代 3D 架構日益提升的複雜度，也對每一道製程提出更高精度的要求。應材具備在介電質化學氣相沉積（Dielectric CVD）、電化學沉積及化學機械平坦化領域的領導優勢，結合深厚的製程整合能力，能協助客戶以更高的可靠性與良率，實現 3D 堆疊技術的大規模量產。

在 DRAM 技術方面，應材推出升級版 Epi 磊晶系統，可有效提升驅動電流與電晶體效率，進一步改善 DRAM 性能與能耗表現，以支援下一代高頻寬記憶體與 DDR 架構需求。同時，新系統占地面積縮小約 20%，有助於提升晶圓廠設備密度與產能配置效率。

在先進封裝領域，應材同步推出三大關鍵製程設備，涵蓋化學機械平坦化（CMP）、電化學沉積（ECD）與電漿輔助化學氣相沉積（PECVD），強化 3D 堆疊架構的關鍵製程能力。

隨著封裝堆疊層數提升，製程控制的重要性也同步上升。應材進一步強化其電子束技術布局，推出 VeritySEM 關鍵尺寸量測系統以及電子束缺陷複檢平台 SEMVision，將晶圓廠等級的量測與缺陷分析能力導入先進封裝領域。這些系統可針對低於光學解析極限的微小缺陷進行高精度檢測與分類，協助製程快速收斂並提升良率，特別適用於高頻寬記憶體與 3D 異質整合架構。

（首圖來源：應材）