搶攻 HBM 美光砸錢擴充日本產能、後年下半裝機

美國記憶體大廠美光（Micron Technology）的日本廣島縣廠房擴建工程週六（7 月 4 日）舉辦了破土儀式，準備擴充先進記憶體晶片產能。

Seeking Alpha、日本放送協會（NHK World）等外電報導，這座位於廣島縣東廣島市的廠房目前為美光生產DRAM。美光將為本次擴充行動投資1.5兆日圓（約93億美元），而日本經濟產業省則會提供最多5,360億日圓（約33億美元）的補貼。

美光表示，興建計畫會分階段推進，半導體製造設備的進場安裝作業則預定於2028年下半年展開。

美光執行長Sanjay Mehrotra在動土典禮上表示，「美光史上第一片HBM生產晶圓，正是誕生在廣島這片土地上」。

美光2013年併購當時已破產的日本DRAM製造商爾必達（Elpida Memory）之際，就將上述廠房納入麾下。廠房擴充後，預計將協助美光生產次世代關鍵晶片，例如輝達（Nvidia）等大廠製造AI處理器時需要的高頻寬記憶體（HBM）。

美光正在愛達荷州博伊西（Boise）興建兩座最先進的晶圓廠，其位於紐約州雪城（Syracuse）郊區、總投資額高達1,000億美元的超級生產基地，今年1月也舉行了動土典禮。與此同時，韓國的SK海力士（SK Hynix）與三星電子（Samsung Electronics）也在大舉擴張產能。

美光6月24日公布財報時預測，第四季度(6-8月)資本支出將達約100億美元，超出分析師原先預估的88.9億美元。美光已與資料中心營運商、汽車製造商等客戶簽署了16份長期協議(LTA)，鎖定未來三到五年的銷售表現。

展望未來，執行長Mehrotra當時在財報電話會議表示，DRAM與NAND型快閃記憶體的供需吃緊狀態，都將延續至2027年過後。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：美光）

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