三星 3 奈米 GAA 部分細節曝光，電晶體密度最高較 7 奈米提升 80%

目前晶圓代工市場正加緊布局，期望 2030 年能超車台積電，成為系統半導體龍頭的三星，2020 年初就宣佈克服 3 奈米製程關鍵的 GAAFET 環繞閘極電晶體製程，預計 2022 年正式推出。雖然目前此製程技術消息甚少，據外媒《tomshardware》報導，三星在 IEEE 國際積體電路會議，公佈採用 GAAFET 技術的 3GAE 製程部分相關細節，可一窺三星目前發展。