擔心美光超車，三星加快第 8 代 228 層 V-NAND 快閃記憶體量產
作者 | 發布日期 2021 年 06 月 09 日 15:30 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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擔心美光超車，三星加快第 8 代 228 層 V-NAND 快閃記憶體量產

日前南韓媒體報導，美商記憶體廠美光 (Micron) DRAM 及 NAND Flash 快閃記憶體生產技術領先南韓三星及 SK 海力士兩大全球市佔率名列前茅的記憶體廠商，消息震撼南韓半導體業界，現在三星出來喊話，將加速生產 200 層或更多層數堆疊的 V-NAND 快閃記憶體。

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