記憶體大廠 SK 海力士宣布推出首款 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體產品,直接威脅競爭對手三星電子地位。三星不但高頻寬記憶體(HBM)和 DRAM 被超越,NAND Flash 堆疊層數競爭也失去領先地位,劣勢蔓延至各記憶體產品。
繼 DRAM及 HBM 後,三星 NAND Flash 也受 SK 海力士威脅 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 27 日 9:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 國際貿易 |



