半導體大廠英特爾（Intel）於 21 日宣布，推出業界首款採用整合式高頻寬記憶體 DRAM（HBM2）的可重複程式設計的晶片（FPGA）──Stratix 10 MX FPGA。該產品可通過整合 HBM2 提供 10 倍於獨立 DDR 記憶體解決方案的記憶體頻寬。而憑藉強大頻寬功能，Stratix 10 MX FPGA 將可用做高性能運算（HPC）、資料中心、網路功能虛擬化（NFV）等許多基本的功能加速器，使得這些需要應用到硬體加速器的部分，能提升大規模資料移動和資料管道框架的速度。
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南澳燃煤電廠跳閘，特斯拉電池「瞬間」出手解救送出 100 MW 電力 |
作者
Emma stein|發布日期
2017 年 12 月 22 日 9:15 |
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全世界最大電池剛在南澳省正式上線不到一個月，就已經體現了它的巨大價值──當位於澳洲南方的維多利亞省一座燃煤發電廠跳閘瞬間，特斯拉電池竟以破紀錄的 140 毫秒內向國家電網輸送了 100 MW電力。南澳國家能源部長 Tom Koutsantonis 告訴當地媒體，全國運營商都對此感到極度震驚。 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20171222 |
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作者
technewsdaily|發布日期
2017 年 12 月 22 日 9:02 |
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中國布局記憶體，晉華電子、合肥長鑫與紫光集團三大陣營成形
中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中國重點發展項目。根據全球市場研究機構 TrendForce 最新「中國半導體產業深度分析」報告指出，隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的… 繼續閱讀..
聯電推出 40 奈米 SST 嵌入式快閃記憶體製程，東芝 MCU 評估採用 |
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作者
Atkinson|發布日期
2017 年 12 月 21 日 18:30 |
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晶圓代工廠聯電 21 日宣布，推出 40 奈米結合 Silicon Storage Technology（SST）嵌入式 Super Flash 非揮發性的記憶體製程平台。而新推出的 40 奈米 SST 嵌入式快閃記憶，較當前量產的 55 奈米製程在單元尺寸上減少逾 20% ，並使整體記憶體面積縮小 20% 到 30%。目前，日本半導體大廠東芝電子元件暨儲存產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯電 40 奈米 SST 技術製程平台的適用性。
