根據韓國科技媒體《DDaily》的報導指出，南韓半導體業界人士透露，相較 DRAM 市場，來自中國的 NAND Flash 快閃記憶體製造商威脅已近在眼前。雖然， DRAM 也必須持續保持注意力，但是目前中國的 DRAM 企業要想對南韓的相關企業造成影響還很難，尤其是在近期美國政府出重手制裁中國的 DRAM 製造商福建晉華之後。相對來說，NAND Flash 快閃記憶體要影響南韓企業，目前可能只剩一年多的時間就看得到。
Category Archives: 記憶體
終端需求前景黯淡，10 月 NAND Flash 顆粒／Wafer 合約價跌幅顯著 |
作者
TechNews|發布日期
2018 年 11 月 06 日 14:20 |
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查，2018 年 NAND Flash 市場全年處於供過於求，需求面隨著筆記型電腦及智慧型手機 OEM 庫存皆已備足，再加上中美貿易戰、英特爾 CPU 缺貨等影響，對於需求動能可以說是雪上加霜。10 月份除了 SSD、eMMC / UFS 價格持續下跌外，各類 NAND Flash 顆粒及 Wafer 產品的合約價跌幅更為顯著。 繼續閱讀..
10 月合約價格正式起跌，主流模組 4GB 面臨 30 美元保衛戰 |
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作者
TechNews|發布日期
2018 年 11 月 05 日 14:45 |
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查，各大廠已議定第四季合約價的情況下，10 月合約價格開始大幅滑落，主流模組 4GB 的均價自上季的 34.5 美元滑落至 31 美元，跌幅 10.14%；大容量模組 8GB 跌幅更明顯，自上季的 68 美元滑落至 61 美元，跌幅為 10.29%。由於 DRAM 市場供過於求的態勢才剛開始，因此不排除 11 月與 12 月價格將持續下探。由於各家廠商積極求售，8GB 解決方案的跌幅預期將會持續高於 4GB 解決方案。 繼續閱讀..
全球首款！SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND，年內量產 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2018 年 11 月 05 日 13:00 |
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韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix Inc.）於 4 日宣布，已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示，現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，電荷儲存式快閃記憶體），而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC（Peri Under Cell）」技術，研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..
慧榮第 3 季 ADR 每股 EPS 年成長大增 68%，市場成長延續至 2019 年 |
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作者
Atkinson|發布日期
2018 年 10 月 31 日 11:45 |
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記憶體控制晶片大廠慧榮（siliconmotion） 31 日公布 2018 年第 3 季財報，根據財報顯示。慧榮 2018 年第 3 季營收達到 1.38 億美元，較 2017 年同期增加 9%，毛利率達到 51%，稅後淨利 3,450 萬美元，每單位稀釋之美國存託憑證 (ADS) EPS 為 0.95 美元 (約新台幣 29 元)，較 2017 年同期大幅增加近 68%。
