TrendForce 觀察,消費市場需求提前上半年透支,下半年旺季未能如預期發揮效應,市場原本普遍預估 4Q25 價格將進入盤整。
受 QLC 產品熱度的外溢效應驅動,NAND Flash 4Q25 價格上漲 5%~10% |
| 作者 TechNews|發布日期 2025 年 09 月 25 日 14:35 | 分類 儲存設備 , 半導體 , 記憶體 |
4Q25 DRAM 價格續漲,伺服器需求提前發酵、舊製程產品漲幅仍較大 |
| 作者 TechNews|發布日期 2025 年 09 月 24 日 14:31 | 分類 伺服器 , 半導體 , 國際貿易 | edit |
TrendForce 最新調查,三大 DRAM 原廠持續先進製程產能優先分配給高階伺服器 DRAM 和 HBM,排擠 PC、行動裝置和消費級應用產能,同時受各終端產品需求分化影響,第四季舊製程 DRAM 價格漲幅依舊可觀,新世代產品漲勢相對溫和。預估整體一般型 DRAM(conventional DRAM)價格季增 8%~13%,若加計 HBM,漲幅擴大至 13%~18%。 繼續閱讀..
突破卡關!三星 HBM3E 終通過輝達標準,逆勢進入下一代 HBM4 市場 |
| 作者 Emma stein|發布日期 2025 年 09 月 21 日 11:37 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶片 | edit |
韓國半導體業內人士透露,三星第五代 12 層高頻寬記憶體 HBM3E 產品終於通過 Nvidia 品質認證測試,預計不久後開始供應高階記憶體晶片,並有望打入下一代 HBM4 競爭鏈。 繼續閱讀..
