Category Archives: 記憶體

由 AI 風潮引起的儲存革命

作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2025 年 10 月 27 日 7:00 |

分類 AI 人工智慧 , 技術分析 , 會員專區

由 AI 推論需求引爆的數據洪流，正以始料未及的方式成為重塑全球儲存市場格局之決定性力量。傳統冷資料儲存霸主──近線 HDD，因其保守產能策略和緩慢的技術迭代，在突如其來的需求面前顯得力不從心，且長達一年交貨週期，正迫使最大客戶群體──雲端服務供應商不得不尋找替代方案。繼續閱讀..

記憶體晶片價格飆漲！小米總裁盧偉冰：成本壓力加劇將推升手機價格

作者姚惠茹|發布日期 2025 年 10 月 26 日 11:54 |

分類半導體 , 手機 , 記憶體

受惠全球 AI 算力需求的爆發性成長，記憶體晶片產業邁入新一輪「超級週期」，包括三星電子和 SK 海力士在內的主要記憶體供應商，已通知客戶要在今年第四季持續調漲報價。對此，小米總裁盧偉冰發文表示，成本壓力加劇將推升手機價格。

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三星宣布 NAND Flash 產線導入 FinFET 製程

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 10 月 23 日 13:50 |

分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

三星電子近日宣布一項重大技術突破與未來願景，就是計劃將鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術應用於 NAND Flash 快閃記憶體生產上。此動作被解讀為三星為因應人工智慧（AI）晶片組對更大容量 NAND Flash 快閃記憶體的需求所做的準備。不過，這項技術屬於未來技術，實際應用仍需一段時間。

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SK 海力士第二代 A-Die DDR5 晶片曝光！原生頻率可達 7,200MT/s

作者林妤柔|發布日期 2025 年 10 月 22 日 9:50 |

分類半導體 , 晶片 , 記憶體

全新 SK 海力士 DDR5 記憶體晶片近日現身網路，據稱代號為「X021」，並帶有新的「AKBD」零件編碼。據外媒 WCCFtech 報導，該晶片首次出現在 Facebook 公開社團，似乎意味著即將到來。繼續閱讀..

華邦電 9 月獲利年增 317.29%，EPS 達新台幣 0.26元

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 10 月 22 日 9:30 |

分類半導體 , 記憶體 , 財報

記憶體廠華邦電因有價證券於集中交易市場達公布注意交易資訊標準，公布相關財務業務等重大訊息，以利投資人區別了解。華邦電 9 月份稅後淨利達新台幣 11.69 億元，較 2024 年同期增加 317.29%，每股稅後盈餘 0.26 元。加上 8 月已公告稅後淨利 7.22 億元、每股稅後盈餘 0.16 元，累計兩個月稅後淨利達 18.91 億元、每股稅後盈餘 0.42 元。

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長鑫存儲傳明年上海掛牌，估值上看 3,000 億人民幣

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 10 月 22 日 9:00 |

分類 AI 人工智慧 , 中國觀察 , 半導體

據《路透社》報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）正籌備於 2026 年第一季在上海證券交易所掛牌上市，整體估值可望達 3,000 億人民幣（約新台幣 1.293 兆元）。兩位知情人士透露，公司計劃募資 200 億至 400 億人民幣，並可能於 11 月對外公開招股說明書（prospectus）。繼續閱讀..

Q3 每股虧損 0.65 元！力積電估第四季投片量、代工價續走高，動能延至明上半年

作者林妤柔|發布日期 2025 年 10 月 21 日 17:04 |

分類半導體 , 晶片 , 記憶體

力積電今（21 日）召開第三季法說會，總經理朱憲國表示，受惠於記憶體市場價格走揚，公司第三季的營運表現有所改善，預期第四季投片量和 DRAM 代工價格會持續向上走，趨勢維持至明年上半年。繼續閱讀..

AI 熱太旺，記憶體也超缺！分析師警告：泡沫恐在路上

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 10 月 21 日 15:15 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

根據路透報導，AI 晶片製造的全球狂潮，正意外掀起一場傳統記憶體的缺貨浪潮。隨著各家晶片廠將產線集中於高頻寬記憶體（HBM）與 AI 加速晶片，手機、筆電與伺服器所需的通用 DRAM 反而變得供不應求。繼續閱讀..

美光挖角三星、SK 海力士工程師跨海助攻台中廠

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 10 月 21 日 13:15 |

分類人力資源 , 半導體 , 記憶體

美國記憶體大廠美光（Micron）近期積極獵才，向韓國半導體資深工程師大力招手，開出最高年薪 2 億韓圜（約 14 萬美元），盼吸引三星電子與 SK 海力士好手跨海助陣台中廠，加速擴建 DRAM 產能。繼續閱讀..

市場對 NAND Flash 需求強勁，帶動三星 V8 NAND Flash 產線稼動率提升

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 10 月 21 日 12:20 |

分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

受惠於人工智慧（AI）產業的強勁發展引導，全球 NAND Flash 快閃記憶體市場環境正快速改善當中，這一趨勢直接推動了三星電子（Samsung Electronics）第八代（V8）NAND Flash 的產線稼動率大幅攀升。

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三星將展示 HBM4，年底啟動量產

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 10 月 21 日 11:45 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

據《서울경제（SeDaily）》報導，三星電子將在本月底登場的「2025 三星技術展（Samsung Tech Fair）」上，展示第六代高頻寬記憶體（HBM4），並計劃於今年底啟動量產。繼續閱讀..

大摩指 2026 年 AI 需求持續強勁，瓶頸轉向利基記憶體與伺服器機架

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 10 月 21 日 9:10 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

外資大摩的研究報告指出，人工智慧（AI）需求持續以超乎預期的速度成長，全球AI半導體產業預計在 2026年將維持強勁的成長態勢。儘管晶圓代工龍頭台積電積極擴充產能以滿足市場飢渴，但產業觀察家指出，未來供應鏈的限制因素，預計將從半導體產能，轉移至利基記憶體（niche memory）與伺服器機架（server racks）。

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新思科技首度在台積電 N2P 節點完成 LPDDR6 IP 驗證，頻寬高達 86 GB/s

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 10 月 20 日 15:00 |

分類半導體 , 記憶體

根據外媒 Wccftech 報導，全球 IC 設計自動化軟體（EDA）龍頭新思科技（Synopsys）宣布，旗下 LPDDR6 記憶體介面 IP 已於台積電 N2P 製程完成晶片上機測試（silicon bring-up），象徵新一代低功耗行動記憶體技術邁入關鍵驗證階段。該設計在測試中實現 86 GB/s 頻寬，符合國際半導體標準協會（JEDEC）最新 LPDDR6 規範，顯示此技術已能在先進製程環境中穩定運作。
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