Tag Archives: 武漢新芯

3 月底武漢新芯新廠動土儀式，中國 NAND Flash 產業邁入新紀元
作者 |發布日期 2016 年 03 月 21 日 19:00 |
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分類 中國觀察 , 晶片 , 零組件

中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在 2018 年年初開始生記憶體晶片，初期規劃將以目前最先進的 3D-NAND Flash 為主要策略產品，代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下，將開始進入新的里程碑。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產 NOR Flash 為主，月產能約為 2 萬片左右，在 NAND Flash 產業也展現強大的企圖心。 繼續閱讀..

武漢新芯新廠動土邀請函曝光！240 億美元資金到位，中國記憶體發展正式啟動
作者 |發布日期 2016 年 03 月 21 日 11:07 |
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分類 晶片 , 會員專區

中國發展記憶體產業再有新進展！中國武漢新芯將建新記憶體廠，新廠動土儀式就落在本月 28 日，根據科技新報取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場謠傳的 DRAM 廠，據悉，國家集成電路產業發展基金（大基金）與湖北省政府已到位，武漢新芯已磨刀霍霍進軍 Flash 市場。

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武漢新芯統籌中國 DRAM 產業發展，將匯集三大技術成為記憶體晶片基地
作者 |發布日期 2015 年 06 月 29 日 15:25 |
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分類 中國觀察 , 晶片

2014 年 10 月 14 日中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金（中國簡稱大基金）成立，進軍 DRAM 領域成為中國半導體計畫的第一步。期間經過中國六大地方政府競逐 DRAM 生產基地，各地方政府也努力的尋找技術、人力、財力及資源，希望躋身為中國半導體領域的重要省份。 繼續閱讀..

中國 DRAM 廠落腳武漢！左拉美光海力士合作、右挖台灣人才牆角
作者 |發布日期 2015 年 06 月 17 日 16:59 |
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分類 中國觀察 , 晶片 , 會員專區

2014 年 10 月中國工信部宣布「國家積體電路產業計畫」（中國簡稱大基金），投入 1,200  億人民幣發展半導體，DRAM 產業同被視為重點扶植項目之一，檯面上有中國武岳峰資本收購美國半導體公司 ISSI ，檯面下左與國際大廠談技術合作、右挖台灣人才牆角，台灣競爭威脅加劇，最重要的人力資產也正在流失。 繼續閱讀..