Tag Archives: 美光

慧榮：輝達五年內 AI 霸主難撼動，帶動 NAND Flash 價格漲勢不停
作者 |發布日期 2024 年 05 月 26 日 12:40 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 會員專區

記憶體控制 IC 大廠慧榮總經理苟嘉章表示，NAND Flash 通路復甦較預期更緩慢，除了資料中心市場一枝獨秀表現強勁，手機市場也有些微成長，其他市場表現都不佳。原廠仍保守擴產，以期以量制價，下半年 NAND Flash 價格仍會一路上漲，使中間通路商供應與市場兩邊都不討好下承壓。

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HBM3e 產出放量帶動，年底 HBM 投片量占先進製程 35%
作者 |發布日期 2024 年 05 月 20 日 14:47 |
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分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體

TrendForce 研究，三大原廠開始提高先進製程投片，繼記憶體合約價翻揚後，公司資金增加，產能提升集中在下半年，1 alpha 奈米以上投片至年底將占 DRAM 總投片比重約 40%。HBM 獲利表現佳，加上需求持續看增，故生產順序最優先。但受限良率僅約 50%~60%，且晶圓面積較 DRAM 產品放大逾 60%，即占投片比重高。以各家 TSV 產能看，至年底 HBM 將占先進製程 35%，其餘生產 LPDDR5（X）與 DDR5 產品。 繼續閱讀..

結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術，台積電準備 HBM4 基礎晶片生產
作者 |發布日期 2024 年 05 月 17 日 9:45 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試

針對當前 AI 市場的需求，預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的變化，其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準，將從原本就已經很寬的 1024 位元，進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元，這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣，晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法，來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。

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美光與清華大學聯手舉辦半導體競賽，鼓勵半導體技術人才發展
作者 |發布日期 2024 年 05 月 09 日 13:49 |
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分類 市場動態

美光科技與清華大學半導體研究學院攜手舉辦第一屆「美光半導體創新應用競賽」日前圓滿落幕。以培育國內優秀半導體人才為目標，美光藉由本次競賽鼓勵大專院校學生探索新的概念、技術和解決方案，提供能將理念化為實際應用的舞台，並設立高達新台幣 68 萬元的豐厚獎金。此次競賽吸引超過來自全國大專院校上百名學生報名參賽，經歷長達四個月的激烈評比，最終成功選出十二組獲獎團隊。 繼續閱讀..