HBM3e 產出放量帶動,年底 HBM 投片量占先進製程 35%

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 20 日 14:47 | 分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
HBM3e 產出放量帶動,年底 HBM 投片量占先進製程 35%


TrendForce 研究,三大原廠開始提高先進製程投片,繼記憶體合約價翻揚後,公司資金增加,產能提升集中在下半年,1 alpha 奈米以上投片至年底將占 DRAM 總投片比重約 40%。HBM 獲利表現佳,加上需求持續看增,故生產順序最優先。但受限良率僅約 50%~60%,且晶圓面積較 DRAM 產品放大逾 60%,即占投片比重高。以各家 TSV 產能看,至年底 HBM 將占先進製程 35%,其餘生產 LPDDR5(X)與 DDR5 產品。

以HBM最新發展進度看,TrendForce表示,今年HBM3e是市場主流,集中下半年出貨。SK海力士(SK Hynix)仍是主要供應商,與美光(Micron)均採1 beta奈米製程,兩家業者已出貨輝達(NVIDIA);三星(Samsung)則採1 alpha奈米製程,第二季完成驗證,年中交貨。

DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加,消耗更多先進製程產能

除了HBM需求占比持續增加,PC、伺服器、智慧手機三大應用單機搭載容量增長,故先進製程消耗量也逐季提升,又以伺服器的容量提升最高,主要受惠單機容量1.75TB的AI伺服器帶動。英特爾、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量產後,記憶體規格僅能用DDR5,今年DDR5滲透率至年底逾50%。

同時HBM3e出貨集中下半年,同屬記憶體需求旺季,DDR5與LPDDR5(X)市場需求也看增。但受2023年虧損壓力影響,原廠產能擴張計劃也較謹慎。整體而言,HBM投片比重擴大下,使先進製程產出有限,下半年產能配置是供給是否充足的關鍵。

受HBM排擠,若先進製程擴產不足,DRAM產品恐供不應求

新廠規畫方面,三星廠房2024年底產能大致滿載,新廠房P4L規劃2025年完工, Line 15廠區製程轉換,1 Y奈米轉至1 beta奈米以上。SK海力士除了M16明年產能擴大,M15X亦規劃2025年完工,年底量產。美光台灣廠區明年恢復滿載,後續產能擴張以美國廠為主,Boise廠區2025年完工並陸續移機,2026年量產。

TrendForce表示,儘管三大廠新廠2025年陸續完工,但部分廠房量產時程尚未明確規劃,需看今年獲利,才能持續擴大採購機台,形成三大廠堅守記憶體價格今年漲勢。NVIDIA GB200於2025年放量,規格為HBM3e 192 / 384GB,HBM產出將近翻倍,且緊接各原廠研發HBM4,若投資沒有明顯擴大,各家產能規劃皆以HBM為優先,產能排擠效應下,DRAM產品恐有供應不及的可能性。

(首圖來源:SK 海力士

想請我們喝幾杯咖啡?

icon-tag

每杯咖啡 65 元

icon-coffee x 1
icon-coffee x 3
icon-coffee x 5
icon-coffee x

您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力

總金額共新臺幣 0
《關於請喝咖啡的 Q & A》